更多的EUV问题;资本支出情况;混合预测;epi的应用;Soitec扩展;EDA工具。
由马克LaPedus
有更多的问题出现极端的紫外线光刻技术(EUV)。是的,光源仍然是一个问题,但抵制似乎不错。“下一个挑战是面具空白,”斯蒂芬说玉木,Sematech光刻项目主任。新问题包括离子束沉积,这显然是造成缺陷和EUV掩上满溢,玉木说。工作正在进行,以解决问题。
有一些现在半资本支出方面的好坏参半的信号。“我们预计台积电今年再次提高其资本支出预算,英特尔降低资本支出今年再一次,和三星保持在资本支出。现实情况是,设备需求非常流畅,和可见性仍然很低,”韦斯顿Twigg说,Pacific Crest Securities的分析师在一份研究报告。
基于半导体设备的各种预测,心情是复杂的在上周的半导体西方贸易展在旧金山。
公司的高层会议上投资者和股票分析师,应用材料计划驱动盈利增长在多个细分市场从3 d NAND新材料检测设备。
要在事实NMOS晶体管世界一直在巡航控制。不了。
应用材料公司正在扩大其外延技术的努力新开发的NMOS晶体管的应用程序Epi Centura RP系统。此功能支持该行业的举动来扩展epi沉积PMOS晶体管对NMOS晶体管的20 nm节点,使芯片制造商建立更快的设备。
应用材料公司宣布了一套新的缺陷评估和分类技术SEMVision系列产品加速时间为领先的芯片制造产量在1 x-nm和超越。
绝缘体(SOI)衬底专家Soitec中扩张和多元化战略作为一个主要的努力寻找新的和高增长的市场。
在供应链方面,心量Etsu Handotai(医师)说会议FD-SOI晶片的规格,可以迅速扩大产能,以满足不断增长的需求。
Soitec宣布在西部半导体贸易显示它SOI技术是现在的主流制造开关和antenna-tuners、关键射频组件用于手机和平板电脑。
Soitec已经完成在加州第一太阳能发电厂圣地亚哥与模块的新生产设施。
瑞昱半导体现在使用导师图形的产品作为其口径全氯乙烯生产工具签收执行复杂的电路检查(ERC)的设计。
节奏设计系统介绍定制设计的新方法以其艺术布局电意识到设计套件(含铅)。
全球Unichip利用节奏的数字实现系统(EDI)和得病的物理分析仪完成tapeout的20 nm芯片系统级芯片(SoC)的测试。
台积电已扩大合作与节奏大师自定义和模拟电路设计平台。此外,台积电已经延长了本地技能流程设计工具(此后)组合16 nm。
Sematech宣布空气产品已加入前端处理程序。空气化工产品公司将与Sematech评估先进的材料和技术的发展III-V sub-10nm节点设备。
Exar已收购Cadeka微电路。事务包括2900万美元的初步考虑支付现金和股票的组合。
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