标签:管理办公室

为未来FD-SOI菌株
通过凯瑟琳德比郡- 11年7月,2016 -评论:0

FD-SOI支持者面临的挑战之一是需要提供一个途径来提高性能。虽然FD-SOI晶片提供一些显著的优势,超过大部分硅片,性能增强应变和材料替代频道更薄SOI环境中难以实现。另一方面,一旦工厂愿意将浇筑层转移……»阅读更多

可靠性后平面硅
通过凯瑟琳德比郡——7月29日,2015 -评论:2

负偏压温度不稳定性(NBTI)提出了一个非常严重的可靠性挑战高度扩展平面硅晶体管,正如前面所讨论的那样。然而,传统的平面硅晶体管似乎接近尾声的生活因其他原因,。硅载体的流动性限制了开关速度甚至变得更加难以保持足够的电工……»阅读更多

下一个通道材料吗?
通过马克LaPedus1月- 22,2015 -评论:0

芯片制造商正在大步从平面晶体管(getkc id = " 185 " kc_name = " finFETs "]。最初,[getentity id = " 22846 " e_name =“英特尔”]进入finFET生产22纳米,现在增加其第二代finFETs 14 nm。和其他铸造厂将进入finFET战斗在16 nm / 14 nm。下一步是什么呢?芯片制造商可能会延长finFET架构两个10海里……»阅读更多

再造FinFET的
通过马克LaPedus11月- 13,2014 -评论:0

半导体行业仍处于早期阶段的[getkc id = " 185 " kc_name = " finFET "]时代,但[getkc id = " 26 " kc_name =“晶体管”)技术已经正在经历一个戏剧性的变化。鱼翅本身进行了改造。在第一代finFETs,鳍是相对较短和锥形。预计下一波的鳍更高,更薄,更重新…»阅读更多

离子注入机市场升温
通过马克LaPedus8月- 14,2014 -评论:0

离子注入机市场已经稳定,如果不是昏昏欲睡,业务。最后的大事件发生在2011年,当应用材料重新进入离子离子注入机市场通过收购瓦里安,这些工具的全球领先的供应商。收购了离子注入机业务的应用材料占据80%的市场份额,与其他玩家战斗的面包屑。但又一年……»阅读更多

许多压力影响tsv
通过安Mutschler2014年2月- 20(-评论:0

太多的压力在人类通常不是有益的,和3 d-ics也是一样在矽通过(tsv)。压力影响这里来自这样一个事实:铜、tsv的导体的选择,和硅有不同的热膨胀系数。“如果你可以想象,通过将蚀刻硅、铜将沉积在然后t…»阅读更多

这是一个物质的世界
通过马克LaPedus8月- 15,2013 -评论:0

由马克LaPedus在最近的一次活动中,英特尔的工厂材料专家描述了噩梦般的出现,几乎把芯片巨头。主任蒂姆·亨得利工厂材料和英特尔技术和制造业集团的副总裁,说公司获得一个关键材料从一个秘密的供应商。“这大的次级供应商,一个非常大的化工公司,米……»阅读更多

流动性得到了提高与扩大Epi应用程序
通过应用材料的作家- 7月17日,2013 -评论:0

杰里米Zelenko即使行业进入的时代高k金属栅(HKMG)和FinFET晶体管,芯片制造商继续寻找方法来提高设备的性能。的最新进展和应用材料的主题今天宣布扩大外延沉积于PMOS对NMOS晶体管。实施一个NMOS外延(epi)过程除了国研…»阅读更多

本周评论:7月15日
通过马克LaPedus- 7月15日,2013 -评论:0

由马克LaPedus极端紫外线有更多问题浮出水面(EUV)光刻。是的,光源仍然是一个问题,但抵制似乎不错。“下一个挑战是面具空白,”斯蒂芬说玉木,Sematech光刻项目主任。新问题包括离子束沉积,这显然是造成缺陷和满溢EUV掩…»阅读更多

加快NMOS
通过埃德·斯珀林- 08年7月,2013 -评论:0

要通过埃德·斯珀林——世界上的NMOS晶体管一直在巡航控制系统。NMOS自然是更快,其性能比管理办公室。办公室的成本优势。但最近,它也一直在追赶的性能。事实上,在20 nm两种晶体管已经证明了几乎同样的性能,但不会持续太久。NMOS即将得到一个大老板……»阅读更多

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