经过多年的关注数量,NMOS晶体管需要一些关注。
埃德·斯珀林
要,事实NMOS晶体管世界一直在巡航控制。NMOS自然是更快,其性能比管理办公室。
办公室的成本优势。但最近,它也一直在追赶的性能。事实上,在20 nm两种晶体管已经证明了几乎同样的性能,但不会持续太久。NMOS即将大赚一笔。
NMOS的解决方案,事实证明,是可以更精确控制材料的沉积在这些产品——同样的方法,帮助提高性能PMOS晶体管。关键是在选择性掺杂,已用于PMOS晶体管来减少阻力。事实证明,通过应用NMOS相同的技术,可以实现同样的性能收益。
“这是第一次我们需要家政NMOS一侧,”凯瑟琳Ta说,战略营销总经理应用材料硅系统集团。“事情在很大程度上改善了PMOS我们不得不解决NMOS。”
这是特别有用的移动电子产品应用的提高性能,因为扩展功能不再是提供相同的福利。而finFETs和完全枯竭的绝缘体上硅结构有助于控制leakage-thereby允许芯片制造商提高时钟速度实际上无助于提高晶体管本身的性能。需要材料的方法,和新材料在选择性沉积NMOS的情况下,磷和carbon-results 20%的性能提升不增加泄漏,根据舒伯特楚,产品应用材料单位主管。
“16岁和10 nm你会看到更多epi-related应用,”楚说,指出第四可能需要III-V NMOS的材料和材料管理办公室。
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