什么是必要的,使持续扩展和3 d集成。
创新的材料是先进的半导体制造过程中保持完整的关键。正在启用临时结合这些新材料和制作一个名字为自己的下一代超薄晶圆制造。
半导体晶片被迫缩减特征尺寸的变薄的推动和全面介绍3 d集成持续增长。
同时磨削硅片小于100微米的厚度是一个现成的过程,甚至搬到薄硅片(< 50µm)让他们极其脆弱。这些极端的压力稀释过程和随后的下游金属化可以在超薄晶片造成额外的压力,导致变形或破损。
细晶片处理过程由暂时安装设备晶片的载体与聚合物粘接材料系统晶片。这个过程用于稳定晶片通过严厉的后端过程同时支持超薄设备衬底。两个增长最快的释放脱胶晶片的方法对激光和机械方法。
激光释放
激光方法使用一个特殊的释放层沉积在承运人和一起使用一个临时胶脱落,暴露于一个准分子或固体激光器。周围有很多感兴趣的这种技术有几个原因。
热稳定性
新的激光剥离材料可以提供生存温度高达400°C,从而使这个版本方法适合高压和高温处理。
吞吐量
发布高质量的材料也可以使大批量生产的激光方法,允许制造商处理每小时50晶片。
非常低的压力
激光释放法并不传授晶片上的任何压力,使它成为完美的适合甚至最薄的半导体。
机械释放
机械释放可能是脱胶的最简单的方法。它可以独立的晶片用最小的力量。机械释放材料的本质属性之一是使室温脱胶的能力。通常,材料是用于治疗一个可重用的载体,使其遵守设备晶片加工过程中,当分离过程的结束。最新的焊接和机械剥离材料释放高生存温度高达300°C。
正确的过程
机械和激光释放方法正在成为下一代超薄半导体晶片的关键推动者。每个都有自己的长处和两种方法正在取得很大的进步,使先进的最新创新包装应用。作为临时键继续建立一个名称为自己的下一代超薄晶片制造,这些方法只会继续看到更多在半导体行业中使用。
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