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标签:三维集成

推进三维集成
通过保罗McLellan- 10,2021 -评论:0

杰瑞Tzou最近介绍3 d织物技术都是摩尔多。台积电等专业技术RF和eNVM,但这是一个通用的基础技术超大型数据中心,移动,和人工智能。杰里开始使用chiplets的动机和异构集成芯片。你可以看到在下图左边死于节点…»阅读更多

声学计量的微细Microbumps 3 d IC
通过上的创新2021年5月- 11 -评论:0

持续转向3 d集成要求形成多个垂直堆叠Si设备之间的电气连接,使高速度、高带宽连接。Microbumps通过硅通过(tsv)使高密度互联die-to-die die-to-wafer叠加,不同的应用程序。在本文中,我们目前的声学计量技术……»阅读更多

临时键:使下一代超薄晶片
通过金正日是的- 11年6月,2018 -评论:0

创新的材料是先进的半导体制造过程中保持完整的关键。正在启用临时结合这些新材料和制作一个名字为自己的下一代超薄晶圆制造。半导体晶片被迫缩减特征尺寸的变薄的推动和全面介绍3 d集成…»阅读更多

这是一个物质世界,积极的预测
通过半——7月23日,2015 -评论:0

由Michael愤怒的最新材料预估ALD / CVD前兆,CMP耗材,电子气体,硅片和溅射目标?Techcet给我们一个更新。金属门和电极前体在五年内翻倍使用前端的助教和W金属门和高频闸极介电层前兆将增长2.5倍,到2020年,根据一项新的报告Techcet,“20…»阅读更多

三维集成
通过凯瑟琳德比郡- 4月23日,2013 -评论:0

通过凯瑟琳德比郡集成电路扩展的一个核心问题。而晶体管延时下降通道长度,互连延迟上升。90纳米技术节点上晶体管延时约1.6 ps,而1毫米长互连线添加5 x102 ps。22纳米的节点,也是估计晶体管延迟0.4 ps,但在阿布互连延迟…»阅读更多

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