技术论文题为“超薄TaN在300毫米硅晶片波纹的纳米线结构量子应用”研究人员发表在纽约创建,美国空军研究实验室和纽约州立大学理工学院。
“我们报告的开发和描述超导波纹的氮化钽(TaN)纳米线,3μm宽100海里,与棕褐色从5到35 nm厚度不同,使用193纳米光学光刻技术和化学物质平面化等300毫米圆片规模的过程。棕褐色膜成分为纳米线选择制造被告知未成形的棕褐色的详细研究电影不同氮钽比率,由被动的溅射。我们还讨论了影响铜和封装的无序原子层沉积TaN超导临界电流的纳米线。超导临界电流密度(以12可)范围从0.12马/平方厘米到0.85 MA / cm2取决于纳米线宽度和膜厚度。谭超薄纳米线的潜力在300毫米尺度的上下文中讨论了应用,如芯片上集成读出超导量子比特,在单光子探测量子计算,以及在大型单光子探测焦平面阵列的宇宙学更广泛的波长”。
找到这里的技术论文。发表:2023年6月。
大肠Bhatia et al .,“超薄TaN波纹的纳米线结构量子应用程序的300毫米硅晶圆,“在IEEE量子工程,doi: 10.1109 / TQE.2023.3289257。
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