技术论文题为“RowPress:放大阅读干扰在现代DRAM芯片”是瑞士苏黎世联邦理工学院的研究人员发表的。
“记忆隔离系统的可靠性是至关重要的,安全,和安全。不幸的是,阅读障碍可以打破现代DRAM芯片内存孤立。例如,RowHammer是一种专门研究read-disturb现象,多次开启和关闭(即。锤击)DRAM行很多次导致身体bitflips附近的行。
”另一个实验演示和分析广泛read-disturb现象,RowPress,在现实DDR4 DRAM芯片。RowPress打破隔离的内存保持DRAM行开放很长一段时间,这足以导致bitflips扰乱身体附近的行。我们表明,RowPress放大DRAM read-disturb攻击的脆弱性明显减少行激活诱导bitflip所需的现实条件下一到两个数量级。在极端的情况下,RowPress诱发bitflips DRAM行中当一个相邻的行被激活只有一次。我们164年的详细描述真实DDR4 DRAM芯片显示RowPress 1)影响从三大DRAM芯片制造商,2)恶化DRAM技术尺度更小的节点,以及3)影响一组不同的DRAM细胞RowHammer和行为不同于RowHammer温度和访问模式的变化。我们还表明,细胞容易RowPress非常不同于细胞容易保留故障。
“我们展示在实际DDR4-based系统RowHammer保护1)级程序诱发bitflips利用RowPress虽然传统RowHammer不能这样做,和2)一个内存控制器自适应使DRAM行开放更长一段时间基于访问模式可以促进RowPress-based攻击。防止由于RowPress bitflips,我们描述和分析四个潜在的减排技术,包括一个新的方法,适应现有RowHammer减排技术也减轻RowPress低额外的性能开销。我们评估这个方法和证明它是有效的各种工作负载。我们开源所有的代码和数据,以促进未来研究RowPress。”
找到这里的技术论文。发表:2023年6月。
罗、Haocong Ataberk Olgun,阿卜杜拉Giray Yağlıkcı,Yahya Tuğrul,史蒂夫•赖恩表示Meryem Banu Cavlak, Joel Lindegger Mohammad Sadrosadati,偏向Mutlu。“RowPress:在现代DRAM芯片放大阅读障碍。“在诉讼第50届国际研讨会的计算机体系结构队页。2023年。
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