技术论文题为“Redox-Based Ion-Gating水库,利用双水库在排水和门非线性响应”由国家材料科学研究所的研究人员发表(年来)和东京大学的科学。
“水库,物理计算redox-based ion-gating水库(redox-IGR)组成x我们3薄膜和锂离子导电玻璃陶瓷(LICGC)。主题redox-IGR成功地解决了一个二阶非线性动态方程,利用电压脉冲驱动ion-gating李x我们3通道,使水库计算。在正常条件下,只有漏极电流(我D)用于储层,最低的预测误差是8.15×10−4。增强的性能我G水库状态,导致显著的降低预测误差为5.39×10−4明显低于其他类型的物理水库(记忆电阻器和旋转扭矩振荡器)据报道日期。二阶非线性自回归移动平均(NARMA2)的任务,一个典型的水库计算的基准,也是执行IGR和良好的性能,用归一化均方误差(NMSE)为0.163。短期记忆任务执行调查增强机制造成的我G加法。内存容量的增加,从2.35我G3.57与我G是观察到的遗忘曲线,表明高维度和记忆能力的增强是由于性能改进的起源。”
找到这里的技术论文。发表:2023年6月。读到这相关的文章东京大学的科学。
和田,T。西冈,D。只,W。土屋,T。Higuchi, T。、& Terabe k Redox-Based Ion-Gating水库,利用双水库在排水和门非线性响应。先进的智能系统,2300123。https://doi.org/10.1002/aisy.202300123
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