RowPress: Read-Disturb现象DDR4 DRAM芯片


技术论文题为“RowPress:放大阅读干扰在现代DRAM芯片”是瑞士苏黎世联邦理工学院的研究人员发表的。文摘:“记忆隔离系统的可靠性是至关重要的,安全,和安全。不幸的是,阅读障碍可以打破现代DRAM芯片内存孤立。例如,RowHammer是一种专门研究read-disturb现象在不断开放和克罗……»阅读更多

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