标签:氮化钽

打破了2 nm障碍
通过马克LaPedus- 2月18日,2021 -评论:4

芯片制造商继续进步与晶体管技术的最新流程节点,但这些结构中的互联正在努力跟上。芯片行业正在几个技术解决互连的瓶颈,但许多这些解决方案还在研发,不得出现有一段时间了,可能直到2 nm,预计t…»阅读更多

7和5 nm真的会发生吗?
通过马克LaPedus7月- 14,2014 -评论:2

今天的硅基finFETs可能失去势头在10纳米。如果或当芯片制造商超越10 nm, IC供应商将需要一个新的晶体管架构。III-V finFETs, gate-all-around场效应晶体管,量子井finFETs, SOI finFETs和垂直纳米线只是几个未来的晶体管候选人在7和5 nm。从技术上讲,这是可能的制造晶体管的部分……»阅读更多

挑战山的互连
通过马克LaPedus——6月26日,2012 -评论:0

由马克LaPedus有大量芯片挑战20 nm节点。当被问及是什么今天尖端芯片制造商面临的最大挑战之一,加里•巴顿半导体研发中心副总裁在IBM,说这可以归结为两个主要障碍:光刻技术和互连。光刻是有据可查的问题....»阅读更多

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