标签:化学物质平面化

加载模式对BEOL产量的影响在化学物质平面化和可靠性
通过Taeyon (TY)哦——2022年1月20日——评论:0

化学物质平面化(CMP)需要在半导体加工的许多记忆和逻辑设备。CMP用于创建平面表面和半导体制造过程中实现均匀层厚度,并优化设备拓扑之前下一个处理步骤。不幸的是,半导体器件的表面不均匀CMP后,由于不同的是…»阅读更多

在CMP减少返工:一个增强的基于机器学习混合计量方法
通过来自Velidandla8月- 10,2021 -评论:0

由来自Velidandla,约翰·豪卓Chen Joshua弗雷德里克,焦Zhihui半导体行业不断朝薄电影和复杂的几何形状和较小的尺寸,以及新材料。化学物质平面化(CMP)步骤的数目增加了,有了它,更需要within-wafer一致性和薄的薄片控制……»阅读更多

检验、计量挑战为碳化硅生长
通过马克LaPedus- 11年6月,2019 -评论:2

检验和计量正变得越来越关键的碳化硅(SiC)行业中迫切需要在当前和未来的SiC设备发现有问题的缺陷。发现缺陷为碳化硅设备一直是一个具有挑战性的任务。但它是越来越迫切需要找到杀手缺陷和减少他们SiC设备厂商开始扩大生产的下一波……»阅读更多

硅光子学:解决过程变化和制造挑战
通过桑迪温8月17日,2017 -评论:0

像硅光子学制造业增长势头与额外的铸造和300毫米,流程变化问题来光。可变性在硅处理影响波导的形状和可能导致偏差的有效指标,传播损耗和耦合效率的设计。在本文中,我们将重点介绍流程变化问题可能出现的我…»阅读更多

增加挑战先进的节点
通过埃德·斯珀林10月- 22,2015 -评论:1

GlobalFoundries首席技术官加里•巴顿坐下来与半导体工程谈论新材料,堆放死,FD-SOI可以扩展多远,新方向的互联和晶体管。以下是摘录的谈话。SE:你看到问题在未来的节点在哪里?巴顿:在设备层面,我们必须能够模式这些东西…»阅读更多

在新的节点设计规则爆炸
通过埃德·斯珀林11月17日,2014 -评论:0

半导体工程改变设计规则与Sergey Shumarayev坐下,高级定制IP设计总监阿尔特拉;(Luigi Capodieci研发研究员getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);产品营销主管迈克尔•白Calibre物理验证(getentity id = " 22017 " e_name =“导师图形”],和科比Zelnik,首席执行官(getentity id = " 22478 " e_name =…»阅读更多

前端到后端
通过杰夫Chappell- 9月19日,2013 -评论:0

由杰夫Chappell外包组装和测试(OSAT)房屋计划或已经提供在矽通过(TSV)能力的三维包装的努力,这意味着前端到后端,说话的口气。也许有点夸张的,因为大多数的概括。但由于tsv,在一个非常现实的意义上的一些通常是什么……»阅读更多

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