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标签:设计技术开

超出5 nm:回顾埋权力Rails &后侧的权力
通过技术论文链接8月19日,2022 -评论:0

新技术论文题为“整体评价埋Rails和后端功率Sub-5纳米技术节点”研究人员提出的标准以内,手臂研究,imec。发现这里的技术论文。2022年7月出版。s . s . t . Nibhanupudi et al .,“一个整体评价埋Rails和后端功率Sub-5纳米技术节点,“在IEEE交易……»阅读更多

蒸馏四个DAC主题演讲的本质
通过布莱恩•贝利- 7月28日,2022 -评论:0

芯片设计和验证正面临越来越多的挑战。将如何解决,特别是他们的机器学习EDA行业是一个主要的问题,这是一个共同的主题在四个主题演讲者在本月的设计自动化会议。DAC返回为一个生活事件,今年的主题演讲涉及系统的领导人comp……»阅读更多

内存驱动器设计技术要求共同进化
通过里卡多·博尔赫斯- 7月15日,2022 -评论:0

里卡多·博尔赫斯和阿南德Thiruvengadam新技术节点可用,记忆一直是一个最激进的半导体应用程序采用先进工艺技术。电子设备的无情的用户需求更多的内存,保证了投资新节点和过程将很快偿还巨大的销售量。因为每个新节点来……»阅读更多

虚拟制造在7/5/3nm
通过埃德·斯珀林- 10月23日,2020 -评论:0

计算产品的副总裁大卫•油炸林的研究,深入虚拟制造最先进的节点,如何创建新节点模型使用不成熟的流程,以及如何融合在一起的数据来自多个不同的筒仓。»阅读更多

锗硅在办公室的寄生参数的影响
通过Coventor- 9月27日,2019 -评论:0

本文基于仿真的设计技术开(DTCO)进行使用Coventor SEMulator3D虚拟制造平台集成电分析能力[1]。在我们的研究中,过程建模是用来预测的敏感性FinFET锗硅外延设备性能变化的过程。模拟过程gate-last流p…»阅读更多

FinFET设备性能如何外延过程变化而受到影响
通过杰克黄- 9月25日,2019 -评论:0

由Shih-Hao(杜松子酒)黄和陈于De需要晶体管规模更小尺寸继续按技术设计师,寄生电阻和电容的影响可以达到甚至超过晶体管性能的其他方面,如边缘电容或源漏电阻。设备的总电阻是由两个组成部分:内部再保险……»阅读更多

先进的三维设计技术开的可制造性
通过玉德陈- 4月30日,2018 -评论:0

Yu·德·陈,杰克黄,大赵,Jiangjiang Gu(吉米)和约瑟夫•欧文产量和成本一直是关键因素对半导体产品的制造商和设计师。这是一个持续的挑战来满足目标的收益和成本,由于新设备结构和流程创新的复杂性增加了实现提高产品沟……»阅读更多

恶有恶报:摩尔定律在10 nm和超越
通过格雷格Yeric2014年2月- 13(-评论:2

修改格雷格从原始Yeric埃里克·菲舍尔戈登·摩尔写他著名的观察在这个时代,人们发展过程也是设计电路。随着时间的推移,事情变得更加复杂和工作专门化,但世界上一切都好多年的晶圆厂一直交付摩尔定律。是的,设计师必须想出很多…»阅读更多

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