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N7 FinFET自对准四模式建模
通过Coventor12月- 14,2018 -评论:0

作者:Baudot, Sofiane Guissi,阿列克谢·Milenin约瑟夫·欧文汤姆Schram (IMEC和COVENTOR)在本文中,我们翅片间距模型基于流程模拟使用COVENTOR SEMulator3D虚拟平台。鳍的锥角核心引入模型与硅提供良好的协议数据。对各种自对准的影响四模式过程……»阅读更多

FD-SOI成为主流
通过埃德·斯珀林——7月19日,2018 -评论:0

半导体工程坐下来讨论FD-SOI世界变化的背后是什么,与詹姆斯羊肉、副首席技术官布鲁尔科学先进的半导体制造和企业技术研究员;乔治•Cesana,意法半导体技术营销总监;奥利维尔维特,高级副总裁兼首席技术官在屏幕半导体解决方案;在Soi和卡洛斯·马祖尔首席技术官……»阅读更多

处理芯片的阻力
通过马克LaPedus- 6月21日,2018 -评论:2

芯片制造商继续规模晶体管在高级节点,但他们正努力保持同样的速度与其他两个开头接触和互联的关键部分。然而,一切都开始改变了。事实上,在10 nm / 7海里,芯片制造商正在引入新的拓扑结构和材料,如钴,承诺提高性能和减少不必要的抵抗……»阅读更多

新的模式选项新兴
通过马克LaPedus——4月19日,2018 -评论:1

有几个工厂工具厂商推出下一波的自对准模式技术在转向新设备在10/7nm和超越。应用材料、林研究和电话开发自对准技术是基于各种各样的新方法。最新的方法是自对准模式技术与多色材料计划,这对我们的设计……»阅读更多

更多的光刻/面具挑战(第2部分)
通过马克LaPedus- 4月17日,2018 -评论:3

半导体工程坐下来讨论光刻和格里高利·麦金太尔光掩模技术,先进模式部门主任(getentity id = " 22217 " e_name =“Imec”);哈里·莱文森高级研究员和高级技术研究主管[getentity id = " 22819 "评论=“GlobalFoundries”);董事总经理Regina释放模式技术[getentity id = "……»阅读更多

自对准通过把金属块和完全自对准2自对准四模式
通过Coventor- 3月29日,2018 -评论:0

本文评估自对准块(SAB)通过(FSAV)和完全自对准方法模式使用车辆(imec节点5海里)然后把金属2自对准四模式。我们分析SAB印刷适性光刻过程中使用流程优化,并演示的SAB对模式产生的影响(8平方米x 6 M1行x 6通过行)结构。我们表明,FSAV有限公司…»阅读更多

改善模式收益率在5纳米半导体节点
通过本杰明·文森特- 3月29日,2018 -评论:0

工程决策总是数据驱动。作为科学家,我们只相信事实,而不是直觉或感情。在制造阶段,半导体行业急于提供数据和事实工程师基于指标如每小时生产的晶片数量和网站/设备每一个晶片上测试过。在半导体和巨大数量的数据生成…»阅读更多

DSA重返得病的图片
通过马克LaPedus3月- 15,2018 -评论:1

由马克LaPedus和埃德·斯珀林定向自组装(DSA)正在回到模式不断挑战光刻技术在雷达屏幕上。英特尔继续有浓厚的兴趣(gettech id = " 31046 " t_name =“DSA”),而其他芯片制造商正在另一个硬看技术,根据多个业内人士。DSA不像传统[getkc id = " 80 " kc_name = "……»阅读更多

执行官的洞察力:沃利莱茵(2018年3月)
通过布莱恩•贝利- 01年3月,2018 -评论:0

沃利莱茵河,总裁兼首席执行官(getentity id = " 22017 " e_name =“导师,西门子业务”],坐下来与半导体工程讨论范围广泛的工业和技术变化和如何将在未来几年。以下是摘录的谈话。SE:最终市场会发生什么?莱茵:最终市场也许是更令人兴奋的从…»阅读更多

2018年铸造的挑战
通过马克LaPedus- 12月27日,2017 -评论:6

硅铸造业务预计在2018年将稳定增长,但这种增长将带来诸多挑战。前缘,GlobalFoundries、英特尔、三星和台积电迁移从16 nm / 14 nm 10 nm / 7纳米逻辑节点。英特尔已经遇到了一些困难,因为芯片巨头最近推出的体积坡道下半年新10 nm过程……»阅读更多

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