标签:SAQP

寻路靠窗过程建模:先进的DRAM电容器模式评估使用虚拟制造过程窗口
通过Coventor12月- 14,2022 -评论:0

在先进的DRAM,电容器密集模式旨在增加细胞密度。因此,先进的模式方案,如多个litho-etch SADP和SAQP流程可能需要。在本文中,我们系统地评估DRAM电容器孔形成过程,包括SADP SAQP模式,在SEMulator3D使用虚拟制造和统计分析。聚氨酯……»阅读更多

通过汇业银行预测SAQP球场走了
通过技术论文链接- 08年11月,2022 -评论:0

新技术论文题为“贝叶斯辍学在深度学习神经网络逼近:分析自对准四模式”研究人员发表在IBM TJ沃森研究中心和伦斯勒理工学院。发现这里的技术论文。2022年11月出版。开放获取。Derren斯科特•d•哈莉·n·邓恩,艾伦·h·伽柏马克斯·o·布卢姆菲尔德,和马克Sh……»阅读更多

洞察高级DRAM电容器模式:评估使用虚拟制造过程窗口
通过Qingpeng王10月- 20,2022 -评论:0

连续设备扩展,过程窗口变得越来越窄,由于小特征尺寸和更大的处理步骤可变性[1]。半导体发展的一个关键任务在研发阶段是选择一个好的集成方案相对较大的窗口过程。当晶片测试数据是有限的,评估不同的集成方案的过程窗口可以…»阅读更多

使用流程建模期间加强设备一致性自对准四模式
通过蒂莫西·杨——11月18日,2021 -评论:0

尽管越来越感兴趣EUV光刻,自对准四模式(SAQP)仍然是许多技术优势模式一致性、简单性和成本。尤其如此,非常简单和周期模式,如线&空间模式或孔阵列。SAQP的最大的挑战是本质上不对称的面具的形状。这种不对称可以创建结构……»阅读更多

建立预测和精确的3 d流程模型
通过Pradeep Nanja- 9月21日,2020 -评论:0

过程工程师和集成商可以使用虚拟流程建模测试替代流程方案和体系结构不依赖wafer-based测试。建立一个精确的流程模型的一个重要方面是确保模型校准。拥有一个校准模型很重要,因为它提供了保证流程集成商和工程师,该模型将仿佛…»阅读更多

计量挑战Gate-All-Around
通过马克LaPedus- 4月16日,2020 -评论:3

计量被证明是一个重大挑战的铸造厂工作流程gate-all-around 3纳米场效应晶体管。计量是测量和描述结构的艺术装置。测量和描述结构设备变得更加困难和昂贵的在每一个新节点,并引入新的类型的晶体管是更加困难。电动汽车……»阅读更多

使用半导体过程窗口优化控制变化
通过本杰明·文森特- 01年7月,2019 -评论:0

确保成功的半导体技术的发展,过程工程师必须为晶片工艺参数设定允许的范围。变化必须被控制,所以最终制造设备满足规范要求。这些规范包括临界尺寸、电气性能要求,和其他设备特征。前期制作或加速生产如果佤邦……»阅读更多

下一代光刻技术选择设备
通过马克LaPedus——4月18日,2019 -评论:2

芯片制造商增加极端紫外线(EUV)高级逻辑7纳米光刻技术和/或5海里,但EUV光刻并不是唯一选择在桌子上。一段时间,业界一直致力于各种各样的其他下一代光刻技术,包括新版本的EUV。每种技术都是不同的,针对不同的应用程序。有些人今天,w……»阅读更多

改善SAQP模式产生使用虚拟制造和先进的过程控制
通过本杰明·文森特- 3月25日,2019 -评论:0

先进的逻辑扩展创造了一些困难的技术挑战,包括要求高度密集的模式。Imec最近面临这个挑战,努力使用金属2 (M2)行模式与一个16 nm半场7海里的节点(相当于5 nm铸造节点)。自对准四模式(SAQP)调查作为替代路径极端Ul……»阅读更多

虚拟制造和先进过程控制提高收益率SAQP过程评估与16 nm半个球场
通过Coventor- 3月25日,2019 -评论:0

本文运用虚拟制造评估Imec 7 nm节点(并不)自对准四模式(SAQP)集成方案16 nm半个球场金属2线的形成。我们第一次获得没有缺陷的技术挑战M2与SAQP线,然后提供一个解决方案来实现»阅读更多

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