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标签:4纳米

小说电子束技术检查和监控
通过PDF的解决方案2022年5月- 09年-评论:0

在本文中,我们报告一个先进的电子束缺陷检查工具(eProbe®250)和Design-for-Inspection™(DFI)系统已经被PDF构建和部署解决方案4海里FinFET技术节点。这个工具有一个非常高的吞吐量,允许内联检验纳米级缺陷的最先进的技术节点。我们还展示了eProbe申请…»阅读更多

5和3 nm
通过马克LaPedus- 24小君,2019 -评论:16

先进铸造供应商正在准备下一波的过程,但是他们的客户将面临无数的困惑(包括开发芯片是否在5 nm,等到3海里,或选择介于两者之间。5 nm的道路是明确的与3海里。之后,风景变得更复杂,因为铸造厂是添加half-node过程,如6海里……»阅读更多

大麻烦在3海里
通过马克LaPedus- 6月21日,2018 -评论:0

随着芯片制造商开始增加10 nm / 7纳米技术在市场上,厂商也准备开发新一代3纳米晶体管类型。一些已经宣布具体的计划在3海里,但过渡到此节点将是一个漫长而崎岖不平,充满了大量的技术和成本的挑战。例如,3 nm芯片的设计成本可能超过一个eye-p…»阅读更多

节点与Nodelets
通过马克LaPedus1月- 22,2018 -评论:0

铸造厂充斥市场新节点和不同的过程的选择现有的节点,混乱的蔓延对芯片制造商,创造各种各样的挑战。有full-node过程,如10 nm和7海里,5和3 nm研发。但也有越来越多的half-nodes或“节点允许”被引入,包括12海里,11纳米,8纳米,6和4 nm。节点允许基于“增大化现实”技术的…»阅读更多

FinFETs的未来
通过埃德·斯珀林1月18日,2018 -评论:0

increasing-particularly finFETs问题的数量,他们能持续多久使用之前需要一些版本的gate-all-around场效应晶体管取代它们。这个讨论是混乱在许多方面。首先,台积电或三星的7海里finFET并不等于7海里finFET英特尔或GlobalFoundries。有一堆其他节点被提出,,我…»阅读更多

材料缺口
通过埃德·斯珀林- 9月21日,2017 -评论:0

当合并变薄的半导体晶圆代工厂和设备制造商,材料公司认为一切都变得更好。他们没有。这有几个原因。首先,半导体现在如此复杂和困难的开发需要大量的创新。每个人都熟悉晶体管结构,互联和lithog……»阅读更多

节点战争?
通过马克LaPedus9月- 20,2017 -评论:6

由马克LaPedus &埃德·斯珀林GlobalFoundries开了12海里finFET过程中,该公司表示将提供密度增加15%和超过10%的性能提高铸造现有14纳米的过程。这是GlobalFoundries的第二个12海里的过程。宣布12海里FD-SOI过程被称为12社去年9月,尽管它首先提到了12海里过程早在J……»阅读更多

FinFETs之后是什么?
通过马克LaPedus——7月24日,2017 -评论:3

芯片制造商正在为他们的下一代技术基于10 nm和/或7海里finFETs,但它仍然不清楚finFET将持续多久,多久10 nm和7 nm节点将扩展为高端设备,接下来会发生什么。这个行业面临着大量的不确定性和挑战5 nm, 3 nm和超越。即使在今天,传统芯片扩展继续缓慢的过程…»阅读更多

三星推出缩放、包装路线图
通过埃德·斯珀林2017年5月- 24 -评论:5

三星铸造了咄咄逼人的路线图,鳞片4海里,并包括一个扇出wafer-level包装技术,桥梁芯片在再分配层,18海里FD-SOI,和一个新的组织结构,允许单位作为商业企业更大的自主权。这些举措将[getentity id = " 22865 " e_name =“三星代工”)在直接竞争得到……»阅读更多

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