薄膜;灵活的电池;石墨烯芯片;片上nanolasers。
薄膜的量子计算
洛斯阿拉莫斯国家实验室的研究人员报告他们的发展二维钨/硒薄膜可以控制单个光子的发射,在量子技术可能有用。
“有效地控制某些薄膜材料所以他们发出单个光子在精确locations-what称为确定性量子emission-paves beyond-lab-scale量子材料的方式,”Michael Pettes说洛斯阿拉莫斯国家实验室材料科学家和多机构研究小组的领导人。
作为一个特色项目,记录在《应用物理快报》杂志上的文章利用应变高度空间本地化和布置得井然有序排放地点,或提示,钨/硒的电影。影片合成的制作团队通过使用多步化学汽相淀积,diffusion-mediated天然气来源。
图片来源:洛斯阿拉莫斯国家实验室
“虽然还需要更多的研究来完全理解机械变形的作用在创造这些量子发射站点,我们可能使一个路由控制量子光学特性通过使用应变,“Pettes说。“这些单光子源形式photonics-based的基础,利用量子计算方案。”
工程二维材料中的量子排放仍然处于早期阶段,作者指出。虽然研究已经观察到单个光子来自缺陷结构在这些材料,之前的研究工作表明,非均匀应变场可能管理效果。然而,这种自然现象的物理机制尚不清楚,是正在进行的重点在洛斯阿拉莫斯国家实验室工作。
纺织锂电池
香港理工大学一个研究小组说想出了一个高度灵活,高能纺织锂电池能够进入可穿戴电子产品。潜在的应用包括GPS跟踪、医疗监控、智能纺织品、物联网和智能手机。
香港理工大学轻纺织锂电池能量密度高的超过450 Wh / L,和优秀的灵活性——弯曲半径小于1毫米,和超过1000个周期的可折叠性边际能力退化。相比之下,现有的可弯曲锂电池只能达到约25毫米的弯曲半径,和更低的性能低于200 Wh / L。纺织锂电池,小于0.5毫米厚,还具有快速充电/放电能力,与传统锂电池循环寿命比较长。
创新是由香港理工大学的研究小组开发研究所的纺织品和服装(ITC)。
郑教授子健,美国国际贸易委员会研究团队负责人,说:“可穿戴技术已被列为下一个全球智能手机后巨大的市场机会。全球市场收入可穿戴设备预测增长突飞猛进,年均增长20%以上,到2024年将达到1000亿美元。所有可穿戴电子产品需要可穿戴的能源供应,我们在制造纺织锂电池的新技术有前途的解决方案提供了广泛的下一代应用程序,从医疗、娱乐、体育、航空航天、时尚,物联网传感或跟踪使用,甚至可能超过今天的想象力。”
消灭石墨烯半导体材料
一个国际研究小组使用激光技术将石墨烯超薄材料制作,至少比钢强100倍,半导体,也许在将来会取代硅在计算机芯片上。
石墨烯,最著名的热和电的导体,将需要携带一个电流,开关打开和关闭表达0和1,处理信息的计算机使用。
来自普渡大学的研究人员,密歇根大学和华中科技大学使用了一种叫做激光冲击印记永久应力石墨烯有结构,允许开关电流的流动,根据这项研究发表在《先进材料》杂志上。
跳过电子能带结构成为导体,但石墨烯并不自然有隙。
研究人员使用激光产生冲击波的冲动,渗透到石墨烯的基本表。激光冲击拉伸石墨烯到永久,战壕战模具。因此,他们扩大了在石墨烯能带创纪录的2.1电子伏特。以前,科学家们取得了0.5电子伏特,几乎达到基准,使石墨烯半导体硅。
“这是第一次的努力取得了如此高的带隙而不影响石墨烯本身,如通过化学掺杂,”论文的通讯作者说,普渡大学的工业工程教授加里•程。
它还远未使石墨烯半导体设备,但是这项技术提供了更多的可能性,利用材料的光学磁,程和热性能。
在硅芯片集成nanolasers设计
威尔士卡迪夫大学的研究人员表明微型硅发光nanolasers可以集成到芯片设计。
的光子带边沿激光能以超快的速度,有可能帮助全球电子行业提供一系列新的应用程序从光学计算遥感和热。
戴安娜而教授科学主任卡迪夫大学研究所的化合物半导体、卡迪夫大学基础学院的物理学和天文学。
“这是第一个证明表明光子带边沿激光可以直接集成在图案绝缘体平台,“而教授说。“硅半导体行业是使用最广泛的材料。然而,它已经很难整合紧凑型光源材料。我们的研究突破这个障碍,发展中极其微小的激光在硅平台上集成,适用于各种硅电子、光电子和光子平台。”
纸”,房间温度InGaAs应承担的硅纳米线阵列乐队边缘激光器,其图案的高绝缘作业平台”已经发表在自然史Solidi-RRL地位。
而教授是ICS)和Ser经营户椅子在先进的工程和材料。她的研究专长在于纳米外延,制造和光电设备。活动项目包括3 d nanolasers,先进的光电探测器和光电。
化合物半导体中心的主任Wyn梅雷迪思博士,合资公司以Plc和卡迪夫大学,说:“这项研究将长期影响迅速扩大光子学领域,特别强调驾驶商品化的大容量,高规格的光学组件为大众市场通信和传感应用程序。”
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