标签:化学汽相淀积

大规模纳米厚的石墨薄膜(神经生长因子)作为EUV薄膜
通过技术论文链接- 3月18日,2023 -评论:0

一个新的技术论文题为“石墨薄膜:物理保护下一代EUV光刻技术”由渥太华大学的研究人员发表韩国成均馆大学,Hanbat国立大学。抽象的“极端紫外线光刻技术(EUVL)被广泛应用于电子、汽车、军事、和人工智能计算集成电路芯片制造领域。pellicl……»阅读更多

大面积材料二维六角氮化硼的合成,改善石墨烯的设备特征
通过技术论文链接- 08年3月,2023 -评论:0

新技术论文题为“大面积多层六角氮化硼的合成和转移增强石墨烯器件阵列”被九州大学的研究人员发表,国家先进工业科学技术(产业)和大阪大学。抽象的“多层六角氮化硼(hBN)可以用来保护的内在物理properti……»阅读更多

捕碳纳米管场效应晶体管
通过马克LaPedus- 3月18日,2021 -评论:6

碳纳米管晶体管终于取得进展的潜在用途先进逻辑芯片研发近四分之一世纪后。现在的问题是,他们是否会走出实验室,进入工厂。一些政府机构、公司、铸造厂和大学多年来发展,并与碳纳米管场效应正在进步做出……»阅读更多

3 d NAND垂直扩展的竞赛
通过马克LaPedus12月17日,2020 -评论:1

3 d NAND闪存供应商正在加速努力转移到下一个技术节点在与日益激烈的竞争赛跑,但所有这些供应商都面临着各式各样的新业务,制造业,和成本的挑战。两个供应商,微米和SK海力士,最近超越了竞争和比例在3 d NAND比赛领先。但三星(Samsung)和数字(Kioxia-Western…»阅读更多

改善EUV流程效率
通过马克LaPedus——3月19日,2020 -评论:2

半导体产业是反思极端紫外线(EUV)光刻制造流程为了改善工厂的整个过程和减少浪费。供应商目前正在开发新的和潜在的突破工厂的材料和设备。这些技术仍在研发和尚未被证实。但如果他们按计划工作,他们可以提高弗洛……»阅读更多

检验、计量挑战为碳化硅生长
通过马克LaPedus- 11年6月,2019 -评论:2

检验和计量正变得越来越关键的碳化硅(SiC)行业中迫切需要在当前和未来的SiC设备发现有问题的缺陷。发现缺陷为碳化硅设备一直是一个具有挑战性的任务。但它是越来越迫切需要找到杀手缺陷和减少他们SiC设备厂商开始扩大生产的下一波……»阅读更多

系统:6月4日
通过杰夫Dorsch- 04年6月,2019 -评论:0

薄膜的量子计算洛斯阿拉莫斯国家实验室的研究人员报告他们的发展二维钨/硒薄膜可以控制单个光子的发射,在量子技术可能有用。“有效地控制某些薄膜材料所以他们发出单个光子在精确locations-what称为确定性量子em……»阅读更多

可变性和成本控制在3海里
通过埃德·斯珀林——5月22日,2019 -评论:1

执行副总裁兼首席技术官理查德•Gottscho林研究,坐下来与半导体工程讨论如何利用更多的数据从传感器制造设备,迁移到新流程节点,啤酒和材料的发展,对控制成本有很大的影响。以下是摘录的谈话。SE: int添加多个传感器……»阅读更多

3 d NAND闪存的战争开始了
通过马克LaPedus8月- 20,2018 -评论:0

3 d NAND闪存供应商正在准备一个新的战斗在价格和竞争压力,互相比赛第二代技术。竞争加剧的新玩家进入3 d NAND闪存市场的长记忆技术有限公司(YMTC)。支持从中国政府数十亿美元的资金,YMTC最近推出了它的第一个3 d NAND techn……»阅读更多

NAND闪存市场减速带
通过马克LaPedus- 6月21日,2017 -评论:5

NAND闪存的需求依然强劲,由于数据在系统的冲击,但整体NAND闪存市场是夹在中间的一个具有挑战性的时期受到产品短缺,供应链问题和困难的技术过渡。英特尔、微米、三星、SK海力士和东芝/西部数据组合继续船传统平面NAND闪存市场,但这种工艺……»阅读更多

←旧的文章

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu