资料来源:加州大学伯克利分校,Acxelis技术,
倾斜的离子注入(TII)可以与已有的掩蔽特性一起使用在衬底表面形成小尺寸特性和较小的球场。摘要sub-lithographic模式的分辨率极限的方法是通过实验研究以及蒙特卡罗模拟过程。TII显示能够定义特征的大小低于10 nm,以自对准的方式繁殖与高保真的直线边缘粗糙度的掩蔽特性。自相关过程成本相对较低,TII-enhanced模式是一种很有前途的方法来推进大容量集成电路制造7-nm技术以外的节点。
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