腐蚀加载效应的主导因素是影响最终CD控制高级节点与萎缩的临界尺寸。
基于模型的光学邻近校正通常是用来补偿模式在显微光刻法过程中失真。目前,几乎所有的光刻技术效果,比如NA的邻近效应有限,3 d面具影响由于收缩临界尺寸,照片抵抗作用,和其他一些著名的物理过程,都可以认为是与OPC建模算法。然而,micro-lithography不是最后一步模式的转换过程从面具到晶片。腐蚀过程也是一个非常重要的阶段。众所周知,直到现在,腐蚀过程仍然不能很好地解释了物理学理论。我们都知道,最后一个临界尺寸是由光刻和蚀刻过程决定。如果腐蚀倾向,这是邮政发展CD和邮政之间的差异腐蚀CD,是一个定值,它将简单控制最终的CD。但不幸的是这是总是不是这样。先进技术节点的临界尺寸缩小,腐蚀负载效应的主导因素是影响最终的CD控制。有些人试图利用etch-based光学邻近校正模型,但有一个缺点是OPC运行的效率将会受到伤害。在本文中,我们将展示我们的研究基于模型的腐蚀倾向为OPC gdp8 %。
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