销售增长略高于2016;英特尔,SK海力士、东芝和西部数码包。
半导体产业资本支出是一个重要的风向标。根据初步调查结果,Semico研究预测2017年的总量将增加4.3%,至697亿美元,创历史新高,比2016年增长略大。
Semico跟踪80多家公司的资本支出和研发支出,尽管其中许多公司已经合并,收购,或破产15 +年我们一直在跟踪这个数据。一个一致的是,十大花每年总量的80%左右。一些公司贡献的增加包括英特尔、SK海力士,东芝和西方的数字。
英特尔制造大新闻通过增加资本支出从2016年的24亿美元。英特尔的资本支出预计将比2016年增加25%,从96亿美元到120亿美元,在2017年。该公司最近宣布,计划在钱德勒完成工厂42,亚利桑那州。自2014年以来,之后把它搁置。工厂42将产生7纳米技术,虽然没有提到具体时间开放。超过70亿美元将用于工厂在未来三到四年。
早在2016年6月,布莱恩Krzanich援引称每年90亿美元的资本支出是“关于正确的数量”,所以它是有趣的,七个月后增加了25亿美元。在2017年1月的财报电话会议上,一位高管提到在2017年建立一个新的试点行7海里的发展。该公司显然决定greenlight Fab 42在这七个月。打破这120亿美元数量,英特尔的记忆资本支出将从16亿年的2016美元增长到25亿年的2017美元。这意味着内存占9亿美元25亿美元的增加。其余的增加会带来10 nm容量在线和构建7海里试点线。
英特尔之后,下一个最大的支出增加来自西部数据公司和东芝。公司计划增加64 -层在2017年BiCS3 NAND。1篮,他们将在工厂6日破土动工,这将支持从2 d转换3 d NAND闪存容量NAND。工厂6是计划在2018年开始实施。记住3 d NAND闪存容量需要大量资本投资比平面与非。
东芝公司最近宣布分拆其NAND和SSD业务到一个单独的公司。公司预计有分裂的细节由2月底,和分割计划的生效日期为3月31日。
东芝公司自2015年以来一直在处理金融丑闻。收益而虚报了七年,东芝的部分核业务一直与这个问题。
其他内存公司是最大的消费。SK海力士NAND的支出在2017年将会增加,因为他们计划在M14增加安装一个新的洁净室容量以及开发和批量生产72 -层3 d NAND闪存。三星尚未宣布其指导2017年资本支出,但它将准备NAND生产平泽市校园到2017年中期。他们专注于VNAND迁移到64层。DRAM,三星不是增加容量,但将在第17行利用剩余的空间来抵消标准能力下降,因为他们搬到1 x海里。
最后,微米2017年的资本支出将下降约13%的日历年,之后在2016年增加了17%。公司取得了一些交叉20 nm DRAM,并部署1 xnm。这些显著减少了他们,所以他们没有计划增加2017财政年度的新DRAM晶片的能力。已经开始生产创两个64 -层3 d NAND闪存,并预计船3 d XPoint今年收入。
其他公司进入前十是铸造厂。主要铸造资本支出将平从2016年到2017年。这包括台积电、联电、中芯国际。一个例外是GlobalFoundries,最近宣布计划增加产能在其现有的晶圆厂,并建立一个新的300 mm晶圆厂的合资企业在中国城市成都。成都工厂预计在4的时候开始生产。
总体而言,2017年将会是另一个积极的增长在半导体资本支出,与几个大型项目来保持我们的眼睛。更多信息关于Semico研究资本支出相关的产品,研发支出、市场份额、晶片需求,和工厂跟踪,请联系(电子邮件保护)或访问我们的https://semico.com。
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