而整个子系统市场正在增长的关键设备,是特别强劲的过程能力和活性气体子系统。
过程能力和活性气体的销售子系统对半导体制造设备有望实现23%的复合年增长率(CAGR)在2016年和2021年之间,远远超过16.4%的关键子系统行业平均水平由于多种积极因素。
过程能力和活性气体子系统占大约13%的所有支出关键子系统用于半导体制造设备,从2016年的9.8%。这个异常增长的司机:
多个模式和3 d NAND的出现在大批量生产的数量显著增加沉积和蚀刻处理步骤。对于3 d NAND,更长、更艰难的腐蚀过程需要一个更全面的电力解决方案的范围。
有趣的是,电力子系统工具类型的分析表明,占明显多数电力子系统(70%)蚀刻工具,只有30%用于沉积的工具。这种差异可以解释的事实更微妙的腐蚀过程可能需要多个功率解决方案/工具。相比之下,沉积并不总是使用等离子体能源,例如,在热沉积过程。
尽管惊人力量子系统部分的性能增长在过去五年,我们预计增长率大幅温和的在2026年之前。现在从2 d NAND过渡到3 d NAND完成,我们预计真空/等离子体处理步骤发展符合设备市场的其他部分。同时,引入EUV逐渐减少对真空加工设备的需求。
但是,从长远来看,多个模式技术仍将需要与EUV实现所需的设备密度和性能的改善。权力和活性气体子系统的未来增长趋势预计将略高于行业平均水平的关键子系统(3.9%)直到2026年的复合年增长率约6.3%。
这些数据的来源是VLSI的关键子系统的报告(2021年6月)。有关更多信息,请访问超大规模集成研究。
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