处理生理效应低于20 nm需要新的架构,新方法和新工具。
已经变得很难有效地缩小传统散装平面晶体管低于20 nm由于生理效应,在很短的占主导地位的传导渠道。功耗的主要障碍是一种不可接受的增长由于重大的泄漏电流。新的晶体管架构被采用,这些短沟道效应提供了一个解决方案,允许晶体管继续萎缩低于20海里。这些新架构之一是三维finFET晶体管,另一个是完全耗尽绝缘体晶体管。两种解决方案在技术上可行,证明生产水平的成功,都有主要的半导体公司的支持。这些替代晶体管结构需要调整设计方法和EDA工具但这检查显示所需的所有物理验证工具功能,可以供生产使用的。
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