MXene- gan -MXene光电探测器通过结合新兴的2D MXene材料与常规III-V材料的优点进行高性能光电探测
文摘:
“在有图案的蓝宝石衬底上，采用轻抛铸造法制备了MXene-GaN-MXene多量子阱光电探测器。与使用Cr/Au电极的传统金属-半导体-金属(MSM)光电探测器相比，MXene电极的使用提高了响应率，降低了暗电流。与传统的Cr/Au - gan - Cr/Au MSM光电探测器相比，MXene-GaN范德华结器件的暗电流降低了3个数量级，噪声光谱强度有明显改善。器件性能的提高主要归功于MXene-GaN范德华接口的低缺陷。得益于高质量的MXene-GaN接口，有可能验证有图案的衬底可以局部改善光提取和光电流收集。测量的响应度和比探测率分别高达64.6 A/W和1.93 × 1012 Jones，是水下光学探测和通信的潜在候选。MXene- gan -MXene光电探测器的简单制作，结合了新兴2D MXene材料与传统III-V材料的优点，引领了高性能光电探测的发展。”
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罗良，黄勇，程凯等。用于高性能多量子阱光电探测器的MXene-GaN van der Waals金属半导体结。光电子学报，2010,27(2):342 - 342。https://doi.org/10.1038/s41377 - 021 - 00619 - 1。
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