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3.5 d芯片封装
在最近的一次纸,PacTech描述了一个垂直激光辅助粘结法用于发展先进3.5 d芯片包。
激光辅助键(实验室)是一个互连技术用于集成电路包装。它使用激光作为热能,进而连接死撞和衬底垫,根据公司,这是最初的实验室技术的开发人员。
实验室比传统的更可靠质量回流过程中芯片封装,据PacTech等等。实验室更快并创建压力低于热压缩成键(TCB)。用于2.5 d / 3 d和其他类型的包,TCB接合器利用力和热连接肿块包。
实验室用于选择今天,如果不是利基,应用程序。“这是在大规模生产,”根据PacTech Matthias Fettke, IC封装设备的供应商。“例如,实验室过程用于悬臂焊接小模数probe-cards(音高< 60µm),结合CT传感器元素的垂直的放置和删除配置或倒装芯片晶圆级。”
PacTech实验室进一步。”这个新概念允许垂直焊接芯片/半导体芯片的堆栈,“说Andrej Kolbasow PacTech,于2019年在最近的一篇论文IEEE69电子组件和技术会议(ECTC)。“垂直保税零件可以用来联系各个层,通过硅通过消除的必要性(tsv)。”
还在研发、垂直实验室是不同的比今天的倒装芯片粘结或TCB。通常情况下,在先进的包装,每一方的死铜microbumps或支柱。死疙瘩/支柱连接或结合在一起使用晶圆片键合过程在一种或另一种形式。
在实验室垂直,死亡或晶片堆积。看来死亡之间的电介质材料沉积。“垂直连接的先决条件的官能团芯片堆栈或芯片包侧接触表面的存在,“Kolbasow说。“理想情况下,所有的表面接触的芯片表面可能被路由到一边。”
然后,与焊料突起形成两个独立的基质。铜基板也有内部路由层。“焊接过程前,焊料仓库的芯片已经准备通过焊料喷射80μm大小,“Kolbasow说。
在某些方面,传统的插入器的基板执行相同的功能。最大的区别是,基板在垂直方向,面向外侧。
在实验室工具,一个衬底是放置在一个垂直的时尚和保税的一侧芯片堆栈。衬底上的每个撞被连接到每一个芯片。
另一个衬底是保税芯片堆栈的另一边。使用实验室、激光冲击芯片表面的入射角45°,根据纸。
“它允许垂直芯片键合技术,与微电子组件可以垂直连着现有的筹码。所有四个边的筹码可以联系来生成一个3.5 d包,”Kolbasow说。“在未来,3.5 d '叠加将有可能接触个体层芯片通过垂直堆栈保税组件和大大减少,如果不消除需要tsv。”
3 d财团
Prophesee神经形态机器视觉系统,开发人员,已加入红外热成像Nanoelec的三维集成项目。
由CEA-LetiNanoelec研究技术研究所(红外热成像)各领域进行研发,包括3 d集成。
红外热成像Nanoelec 3 d集成项目的目的是开发一个3 d集成实验室和其他技术。集团也在开发混合动力与细薄片焊接互连球对3 d技术。集团已经开发了一个3 d堆叠成像仪1.44µm音高。
混合成键使供应商能够堆栈和连接设备直接使用小模数铜连接,消除碰撞和柱子的必要性。它铺平了道路走向更高级形式的2.5 d, 3 d-ics和3 d后发展出。
红外热成像Nanoelec的3 d组包括集成意法半导体,导师,一个西门子业务,电动汽车集团,集和CEA-Leti。
Hopfions
约翰内斯大学美因茨,Forschungszentrum j和内梅亨大学奈梅亨获得资助探索纳米三维磁结构。
这努力,所谓的“3 d魔幻”项目,是由欧洲研究委员会(ERC)。伦理委员会最近获得协同拨款整个欧洲37个项目。
3 d魔法是这些项目之一。三维磁结构理论粒子,但对他们所知甚少。如果他们被证明,这些粒子相关的各领域,如天文学和亚原子物理学。理论上,三维磁结构可以作为信息载体在自旋波设备。
在这个项目中,研究人员将研究所谓的磁孤子,微小的磁性旋转。这些纳米粒子存在于固态系统。此外,研究人员还想调查其他粒子,即hopfions。
“第一磁涡流检测可以被视为二维对象。我们现在在一个阈值可以通过实验研究三维的漩涡结构。我们的目标之一是扩展我们的电子全息术的方法为了这个目的,”教授Rafal Dunin-Borkowski说Forschungszentrum j。
“(Hopfions粒子)可以被想象成扭曲或系鞋带。循环它们包含越多,霍普夫数量越高,”斯蒂芬说Blugel从Forschungszentrum j。
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