Nanoimprint铸造;全面的过程;3 d sans tsv。
Nanoimprint铸造
新加坡是一个* *研究所的材料研究和工程(IMRE)及其合作伙伴推出新的研发铸造使用nanoimprint光刻。
所谓Nanoimprint铸造是一个合作几个实体,如因,东芝的机器,电动汽车集团NTT,零技术,共同社国际微抵制技术、Nanoveu和解决创新技术。
操作的目标是使公司为商业应用开发和生产原型产品。它还旨在加快nanoimprint光刻技术的发展。nanoimprint可能的应用包括柔性基板、干燥粘合剂、包装、隐形眼镜,生物医学细胞支架,防冻开关表面和抗菌材料。
铸造中的nanoimprint工具基于精密卷绕对位,批处理和晶圆制造技术。精密卷绕对位技术,例如,使建立的柔性基板上表面。它是针对高吞吐量和室温处理50 nm和下面的特征尺寸。
凯伦Chong姆雷科学家正铸造,表示操作提供一站式企业寻求基于nanoimprint开发产品。“我们可以帮助企业制定概念和飞行员20000样品生产允许制造商缩短产品周期但-沉重的资本研发投资,”Chong说* *的网站。
全面的工厂流程
今天的finFET晶体管规模预计到10纳米。然后,预计该行业发展高机动性finFETs将整合各种III-V材料的渠道。问题是高机动finFETs之后是什么?
目前还不清楚,但专家认为最终的设备gate-all-around finFET(棉酚)。GAA-based设备要求有最好的静电特性。
在即将到来的IEEE国际电子设备会议(IEDM), IBM将描述一个新的和改进的制造工艺,可以使GAA-based设备大小10纳米技术兼容的扩展需求。IEDM将在华盛顿特区从12月9 - 11日,2013年。
过程包括的步骤使硅纳米线(SiNW),它作为渠道GAA-based设备。在最初的过程中,纳米线间隔形成期间被保留使用一个纯的外延过程。
在新的过程中,纳米线被间隔使用原位掺杂形成外延过程中。在实验室中,IBM已经建立了一系列的棉酚SiNW场效电晶体,其中一些特性音调30纳米的纳米线和60 nm门。设备90 nm门球场证明了有史以来最高的性能报告SiNW设备门距低于100海里。设备有一个峰值/饱和电流400/976µA /µm,分别在1 V,根据IBM。
工作专注于场效应电晶体,但是这个过程也可以用于生产PFETs,打开门,一个潜在的超密度、高性能CMOS技术。
3 d Sans tsv
替代传统的逻辑扩展为2.5 d / 3 d堆叠死去。通常,把芯片,使用在矽连接通过(tsv)。但有许多挑战与TSV-based堆死,如寄生电容、热失配问题等等。
在即将到来的IEDM,台湾的国家纳米设备实验室将描述开发一个3 d chip-without使用tsv。研究人员制造单片sub-50nm 3 d芯片,集成逻辑,非易失性内存和存储器。
研究人员建立了设备从ultrathin-body mosfet孤立300 nm厚的层间介电层。他们还用激光脉冲沉积非晶硅和结晶。然后他们用低温化学物质平面化(CMP)技术和区域硅薄,使3 d设备的制造。
单3 d体系结构包括3 ps逻辑电路,1 - t 500 ns非易失性记忆和6 t sram和低噪声小的足迹,根据国家纳米设备实验室。
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