新一代晶体管有什么不同

通过凯瑟琳德比郡- 2022年10月20日-评论:0

经过近十年的发展和五个主要节点，以及大量的半节点，半导体制造业将开始从finfet过渡到3nm技术节点的全能堆叠纳米片晶体管架构。相对于finfet，纳米片晶体管通过在相同的电路占地面积内增加通道宽度来提供更大的驱动电流。gate-all-aroun……»阅读更多

晶体管在3nm达到临界点

通过马克LaPedus- 2022年2月23日-评论

半导体行业正在进行十多年来新晶体管类型的首次重大变革，转向称为全门(GAA) fet的下一代结构。虽然GAA晶体管尚未上市，但许多业内专家都想知道这项技术能持续多久，以及会有什么样的新架构取代它。除非有重大延误，今天的GAA…»阅读更多

晶体管和集成电路架构的未来

通过马克LaPedus- 2021年3月18日-评论

《半导体工程》杂志与英伟达制造与工业全球业务发展主管陈杰(Jerry Chen)坐下来讨论了芯片缩放、晶体管、新架构和封装;Lam Research计算产品副总裁David Fried;KLA营销和应用副总裁Mark Shirey;以及D2S首席执行官藤村昭。以下是节选…»阅读更多

制造3nm及以上的芯片

通过马克·拉佩德斯和埃德·斯珀林- 2020年4月16日-评论:4

一些代工厂开始在研发中增加3nm的新5nm工艺。最大的问题是在那之后会发生什么。2nm及以上节点的工作正在顺利进行，但仍存在许多挑战以及一些不确定性。已经有迹象表明，由于各种技术问题，晶圆代工厂已经将3nm的生产计划推迟了几个月。»阅读更多

后硅通道材料的新挑战

通过凯瑟琳德比郡- 2014年2月21日-评论

为了将替代通道材料带入CMOS主流，制造商不仅需要单个晶体管器件，还需要完全可制造的工艺流程。在最近的IEEE电子器件会议(2013年12月9日至11日，华盛顿特区)上展示的工作表明，在这种流的几乎所有方面仍有大量工作要做。首先，也是最根本的，它是不同的…»阅读更多

硅之后还有什么?

通过凯瑟琳德比郡- 2014年1月9日-意见:4

正如在本系列的第一篇文章中所讨论的，锗是接替硅作为先进晶体管通道材料的主要候选者之一，并且已经存在了好几年。2007年详细介绍了锗集成的基本挑战。不幸的是，知道问题是什么并不一定能找到解决方案。当MOSFET晶体管转向…»阅读更多

后硅finfet的替代通道材料

通过凯瑟琳德比郡- 2013年12月16日-评论:4

乍一看，对器件设计师来说，其他半导体总是比硅更有吸引力。锗和III-V化合物半导体都具有更高的载流子迁移率，允许在相同的器件尺寸下更快地切换。然而，随着制造商开始考虑用于10nm以下器件的替代通道材料，业界正在回忆起为什么硅在……»阅读更多

生产时间:10月1日

通过马克LaPedus- 2013年10月1日-评论:0

新加坡A*STAR材料研究与工程研究所(IMRE)及其合作伙伴推出了一个使用纳米压印光刻技术的新的研发铸造厂。所谓的纳米压印铸造是几个实体之间的合作，如IMRE，东芝机器，EV集团，NTT, NIL技术，Kyodo国际，Micro Resist技术，Nanoveu和解决方案…»阅读更多

450mm:不同步

通过马克LaPedus- 2013年7月18日-意见:0

集成电路行业已经讨论了很长时间，但供应商最终接受了业务的重大转变。巨大的变化涉及一个悬而未决的关键节点，其中450mm晶圆尺寸的过渡，新的器件架构和其他技术可能会在同一时间或几乎同时融合。在一种可能的情况下，450mm晶圆厂预计…»阅读更多

标签:场效应电晶体