Germanium-on-mica;可折叠的闪光;HVPE。
Germanium-on-mica
锗是一种元素,可用于各种应用程序在电子、光电、半导体和其他人。
例如,硅锗(锗硅),硅和锗的合金,用于制造射频芯片。在未来finFET晶体管,一些正在探索使用纯锗的想法PFET结构来提高设备的电子迁移率。
伦斯勒理工学院(RPI)对锗有把一个新的转折。研究人员已经锗薄膜云母的衬底材料。云母是群单硅酸盐矿物,底面解理著称的属性。
理论上,germanium-on-mica使一个灵活高效、廉价的电子和光电设备的模板。
零售物价指数增长锗薄膜云母基板厚约80海里。基质是长75毫米,宽25毫米,0.26毫米厚。研究人员增长晶体薄膜锗基于这一过程被称为范德华外延。他们已经能够使用外延生长这些电影或热蒸发过程在425°C。
Germanium-on-mica(来源:零售物价指数)
锗原子的排列由范德华力引导。它定义了吸引力分子之间的分子间作用力。“这是第一次无应变的范德瓦耳斯外延元素半导体已经证明,“亚伦小约翰说,博士生在零售物价指数。“我们的研究发现一个狭窄的窗户,一组特定的工作的条件。
“我们的锗薄膜可以作为薄膜nanomembrane,可集成到电子设备更容易比纳米晶体和纳米线,”小约翰说。“这也可以作为后续的基质沉积的额外材料柔性晶体管和太阳能电池,甚至可穿戴光电子学”。
可折叠的闪光
使用化学气相沉积(CVD)过程中,韩国先进科学技术研究所(韩科院)开发了一个超灵活和可折叠的有机闪存。
闪存,非易失性存储装置,通常与NAND也有关。NAND flash用于数据存储,而不是代码存储应用程序的目的。
开发一个灵活的闪存设备是可取的,但具有挑战性。其中一个最大的挑战是开发高性能弹性介质层。这些层用于隧道和阻塞的指控。
韩科院克服了这些挑战。研究人员开发了薄聚合物使用CVD绝缘体。技术,韩科院生产的闪存编程电压大约10伏特。它有一个数据保留时间超过10年。
结构灵活的闪存(来源;韩科院)
设备本身的机械应变为2.8%。研究人员制造设备6-micrometer-thick超薄塑料薄膜,进而使其折叠。“这项研究表明,甚至高度灵活的闪存可以有一个实际可行的水平的性能,所以它有助于全面的可穿戴电子设备和智能电子纸,“Seunghyup柳说,韩科院电气工程学院的教授。
可折叠的闪存(来源:韩科院)
HVPE
Kyma技术宽禁带半导体材料技术的开发人员,开发了一个新的氢化物气相外延(HVPE)增长的工具。
Kyma HVPE工具使制服和快速增长的出许多不同的基质(甘)。HVPE有几个优势摘要化学汽相淀积(金属)。
这包括更快的增长速度,降低原料成本,更高纯度增长环境辅助元素的使用第三组包含摘要来源而不是碳来源。
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