芯片行业的技术论文摘要:11月1日


新的技术论文添加到半导体工程本周的图书馆。(表id = 61 /)»阅读更多

研究部分:7月18日


CXL内存崩溃韩国先进科学与技术研究所的研究人员(韩科院)开发了一种计算表达链接直接访问(CXL)解决方案,他们说高性能内存崩溃,极大地提高了性能比现有的远程直接内存访问(RDMA)的内存崩溃。RDMA使主机能够直接访问一个……»阅读更多

Neurosynaptic装置,模拟突触和内在的可塑性与此同时在一个单一的细胞


新的学术论文题为“同步仿真突触和内在使用记忆性突触可塑性”从韩国先进科学与技术研究所的研究人员(韩科院)。抽象神经形态计算目标硬件神经网络的体现,和设备实现单个神经元和突触已经吸引了相当大的关注。模拟……»阅读更多

垂直堆叠,低压有机三元逻辑电路包括非易失性浮栅存储器晶体管


韩科院和Gachon大学的研究论文。抽象“多值逻辑(MVL)电路基于异质结晶体管(HTR)已成为高密度信息处理的一种有效策略,在不增加电路的复杂性。逆变器,有机三元逻辑(T-inverter)证明,在非易失性浮栅闪存是用来…»阅读更多

电力/性能:11月17日


NVMe控制器研究韩国先进科学和技术研究所的研究人员(韩科院)开发了一种非易失性内存表达(NVMe)控制器存储设备,免费提供给大学和研究机构,以降低研究成本。NVMe控制器IP可访问性差是阻碍学术和工业研究,研究小组认为……»阅读更多

人工智能设计在韩国


像许多在半导体设计企业,Arteris IP是积极与韩国芯片公司合作。这不该是一个惊喜。如果一家公司正在建设一个SoC的任何合理的大小,它需要network-on-chip (NoC)互连的最优QoS(带宽和延迟监管和系统级仲裁)和较低的路由拥塞,即使在以应用程序为中心的设计,比如……»阅读更多

电力/性能:11月25日


刚性或柔性设备韩国先进科学和技术研究所的研究人员(韩科院),电子和电信研究所(ETRI)在大田,博尔德科罗拉多大学圣路易斯华盛顿大学、康奈尔大学和佐治亚理工学院提出了一个系统,允许电子变换从硬设备flexib……»阅读更多

电力/性能:3月26日


材料有两个电子,空穴在俄亥俄州立大学的研究人员发现了一种材料,可以容纳两个电子和空穴。他们希望材料、层状金属晶体NaSn2As2,可能简化电子产品,去除多层或材料的必要性。”正是这种教条在科学、电子或者空穴,但你没有。但是我们的…»阅读更多

制造业:11月21日


Germanium-on-mica锗是一个元素,可用于各种应用程序在电子、光电、半导体等。例如,硅锗(锗硅),硅和锗的合金,用于制造射频芯片。在未来finFET晶体管,一些正在探索使用纯锗的想法PFET结构来提高电子迁移率在…»阅读更多

电力/性能:1月17日


创建用电磁铁SLAC国家加速器实验室的研究人员,韩国先进科学技术研究所(韩科院),韩国材料科学研究所、浦项市科学技术大学马克斯普朗克研究所,新南威尔士大学吸引了在非磁性材料磁广场一个带电的钢笔,然后“读”这magneti…»阅读更多

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