韩国先进科学技术研究院(KAIST)的研究人员发表了一篇题为“使用记忆性突触同时模拟突触和内在可塑性”的新学术论文。
摘要
神经形态计算以神经网络的硬件实现为目标，单个神经元和突触的器件实现备受关注。在忆阻器出现后，突触可塑性的模拟显示出有希望的结果。然而，神经元的内在可塑性(通过与突触可塑性的相互作用参与学习过程)却很少被证实。在学习过程中，突触可塑性和内在可塑性同时发生，需要同时实现。在这里，我们报告了一种神经突触装置，它在单个细胞中同时模仿突触和内在可塑性。门限开关相变存储装置将门限开关和相变存储相结合。基于底部阈值开关层，神经元的内在可塑性类似于生物神经元放电频率的调制。通过顶部相变层的非易失性切换，引入了突触塑性。在单个细胞中同时模拟了内在可塑性和突触可塑性，以建立它们之间的正反馈。在阈值开关相变记忆阵列中实现了模拟生物系统再训练过程的正反馈学习循环，用于加速训练。
找到开放获取这里是技术文件．2022年5月出版。
Sung s.h.， Kim, tj, Shin, H.等。同时模拟突触和内在可塑性使用记忆突触。Nat Commun 13, 2811(2022)。https://doi.org/10.1038/s41467 - 022 - 30432 - 2。
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