韩科院和Gachon大学的研究论文。
文摘
“多值逻辑(MVL)电路基于异质结晶体管(HTR)已成为高密度信息处理的一种有效策略,在不增加电路的复杂性。逆变器,有机三元逻辑(T-inverter)证明,在非易失性浮栅采用闪存控制通道电导系统,从而实现稳定T-inverter操作。三维(3 d) T-inverter是垂直堆放形式制作的基于完全干燥过程,使高密度集成设备一致性高。在闪存,超薄聚合物电介质利用减少编程/擦除电压和工作电压。最佳编程状态,3 d T-inverter满足所有重要的要求,比如全面展开行动,优化中间逻辑值(~ VDD/ 2)、高直流增益超过20 V / V以及低压操作(< 5 V)。有机闪存展品长期保留特征(10后电流变化小于10%4),导致长期稳定的3 d T-inverter。我们认为3 d T-inverter在这项研究中开发的采用闪存可以实现高性能MVL电路提供一个有用的洞察力。”
找到开放获取这里的技术论文。2022年4月出版。
崔J。李,C。李,c . et al .垂直堆叠低压有机三元逻辑电路包括非易失性浮栅存储器晶体管。Nat Commun 2305 (2022)。https://doi.org/10.1038/s41467 - 022 - 29756 - w
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