声子激光;GaN-on-GaN设备;SiC逆变器。
声子激光
欧洲联盟最近开始一个新项目,开发一个实用的声子激光。
欧洲联盟,叫做成长,将协调加泰罗尼亚纳米科学和纳米技术研究所(ICN2)。
大多数芯片执行函数使用一个电荷(电子)或受光(光子)。相比之下,一个声子”是一个量子的能量或准粒子与压缩波如声音或晶格的振动,”根据维基百科。晶格振动的频率几十兆赫,根据欧洲组。
声子激光多年来一直在进行。我们的想法是,声波移动速度5数量级小于光速,根据一篇论文从约翰霍普金斯大学在2010年。
声波的波长小于光波在同一频率。反过来,这可能使精确的无损测量和成像,根据纸。
欧洲财团希望开发一种技术,结合了声子、光子和射频(RF)电子信号。该集团将专注于phonon-based信号处理的发展。这将使芯片上的同步和光学通道通过声子之间传输信息进行。
它计划建造optically-driven声子源和探测器。这包括声子激光,将相干声子其余的芯片由连续波注入光学来源。
GaN-on-GaN设备
在最近的IEEE国际电子设备会议(IEDM)在旧金山,松下发表了一篇论文在一个垂直的氮化镓(GaN)功率晶体管基于氮化镓衬底。
氮化镓功率晶体管是功率半导体应用前途。当前设备基于横向配置使用沃甘/氮化镓异质结晶体管和硅衬底。
这些设备有闭锁电压600 V或更低。产品工作,但击穿电压是有限的甘1 kV侧晶体管。这是由于GaN和硅之间的不匹配以及厚度的增加在硅衬底氮化镓,根据松下。
垂直GaN晶体管体积GaN基板克服这些局限性。几家公司都试图使这些设备,但是他们是有限的。GaN-on-GaN设备价格昂贵,而且很难。
“一个关键问题是较小的阈值电压差的夹止特点虽然设备声称这些都是关晶体管,“根据松下的纸。“另一个问题是稳定的()门结构。”
推进技术,松下已经开发了一个新的垂直GaN-based晶体管在氮化镓衬底。它有一个低开态电阻的1.0 mΩ·cm2和高击穿电压断开的1.7 kV。一个新的门结构使高阈值电压2.5伏好断开的特色。它有一个开关速度,400 v / 15 a。
在流,n-GaN漂移层上沉积氮化镓衬底。漂移层的设计是实现阻断电压1.5 kV以上。p-GaN层沉积,其次是carbon-doped GaN /化学层。这一步后,一个“v型槽是由一个电感耦合等离子体(ICP)蚀刻,根据纸。
“p-GaN /沃甘/氮化镓三层由金属再生epitaxally超过V-grooves,”根据。“选择性蚀刻p-GaN形成的大门,沃甘/氮化镓/ carbon-doped GaN形成源电极由ICP刻蚀。然后,钛/铝源和Pd /非盟门电极表面形成方面,和一个Ti / Al / Ti /非盟电极上形成的氮化镓衬底的背面。”
SiC逆变器
还在IEDM,筑波大学提前搬到另一个宽的带隙技术称为碳化硅(SiC)。
研究人员设计了他们宣称是世界上第一个4 p沟道垂直h-sic MOSFET。这可能是用于电力设备适用于高频互补逆变器。
击穿电压超过-730 V和短路能力是15%高于4 h-sic n沟道MOSFET,据研究人员。“装配式设备展品更高的栅氧化层的可靠性和雪崩免疫力在短路试验,”根据。“从实验结果,SOA的SiC p-MOSFET可能比碳化硅n-MOSFET和设备可以应用在实际的电力应用程序。因此,基于对SiC p-MOSFET互补逆变电路和SiC n-MOSFET为可能的应用可以实现。”
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制造:2016年12月6日
磁铁记录;IEDM百花香;7海里;gate-all-around场效应晶体管。
本周在点评:制造:2016年12月,9
7海里枪战;10 nm服务器;虚拟现实组;机器人。
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