专家形容这项新兴技术的发展趋势。
芯片制造商增加芯片架构的一个新类,如3 d NAND和finFETs。测量和描述这些技术的微小结构是一个重大的挑战。不仅需要传统的计量工具,而且不同的x光技术。
处理x射线计量,半导体工程最近讨论的趋势与以下专家:大卫•罗西的半导体部门力量;副总裁兼总经理艾萨克Mazor x光半导体业务的力量;产品管理主管和亚当Feinstein,力量。afm的力量是一个供应商,x射线计量工具和其他产品。以下是摘录的谈话。
SE:力量多次移动,包括x射线计量工具的最近收购专家约旦河谷半导体。这笔交易的背后是什么?
罗西:它扩大我们的客户基础。另外,当力量形成了力量半导体业务今年1月,这是使我们的x射线和AFM技术和产品能够解决客户的计量要求。我们也看到,我们可以为我们的客户通过加入部队与约旦河谷在x射线计量。通过结合约旦河谷的产品和技术力量的x射线技术,我们真的看到了能力不仅满足我们客户的当前需要和需求,而且他们的未来需求在7和5 nm。
SE:当今计量大挑战是什么?
Mazor:越来越多的挑战。参数的临界值的数量正在增长。这些新结构的复杂性是计量学开车。
SE:芯片制造商正在使用传统的计量工具。x射线计量呢?
Mazor:当我们搬到28 nm和下面,7到10纳米,纳米,我们会看到一个大幅增加x射线计量。这是一个必须和一个重要的优势。这两种技术,要求x射线对3 d几何图形3 d内存和finFET结构。都创建一个3 d计量的必要性。x射线可以发挥重要作用。
SE:没有x射线计量开始打入在45纳米半导体业务吗?
Mazor:有几个节点,使x射线计量更可行的选择。第一个可能是铜金属化,开始在180海里。然后,当提到的45 nm节点你是正确的。当一些公司采用锗作为应变时,你开始使用硅应变。带入另一个x射线测量的光度和浓度分析。这大大延长了x射线的市场。
SE:为什么我们需要x射线计量?
Mazor:我们正在处理angstrom-level测量。
SE: x射线计量被使用?
范斯坦:现在,我们看到(过去)更多的应变硅与硅锗。我们看到它与源/漏在14 nm和10纳米。我们可能会看到它与III-V或锗硅鳍我们去7和5 nm。
SE: x光技术所需的这些应用程序?
范斯坦:一般来说,我们可以想想XRD, x射线衍射,需要真正有资格锗硅和外延这些电影的质量,以及直接的方法量化目标工程渠道的压力。
SE: x射线计量取代传统技术喜欢CD-SEM和强迫症吗?
范斯坦:不一定,你正在取代任何东西。但当我们集成更多的材料,我们有了更多的复杂的过程,无论是多个模式或三维结构,有新的和更先进的计量的必要性。这克服了一些传统的技术可能会打击他们的一些限制。
SE:什么类型的x射线计量工具今天正在使用吗?
范斯坦:原来,XRR, x射线反射率。这是对于简单的薄膜测量。现在,我们真的看到了过渡到XRD和光谱仪。
Mazor:XRR非常重要,但实际上光谱仪采用很久以前,特别是在日本。他们已经使用了很长一段时间。XRR和光谱仪,在某种程度上,已经成为可行的计量技术10年前开始。光谱仪正在增长。这是一个光度技术。是更有能力的3 d几何图形。
SE:光谱仪、x射线荧光看着表面污染。XRD呢?
Mazor:x射线衍射在玩。有时候是有用的,但它是放在一边。XRD成了当前的主要计量技术选择性epi的增长。市场将对族化合物和III-V使用它。这些原子需要选择性的增长。XRD技术epi的质量和资格finFETs的重复模式。XRD如下新兴10 nm和。我们相信这将是采用直列式计量,不仅增加的计量。
SE:这些x射线技术之间的区别是什么?
Mazor:x射线技术操作的一般有三种模式:x射线和x射线;x射线和电子;和电子和x射线。XPS是x射线电子。它的成分和厚度在埃级别。在力量,我们主要处理x射线和x射线。光谱仪、x射线衍射和CD-SAXS x射线和x射线。这是我们占主导地位。电子束和x射线有不同的应用程序。这是不同于我们所做的。
SE:多年来,一直致力于CD-SAXS。它还没有准备好。CD-SAXS呢?
范斯坦:如果我们超越外延,这真的是一个XCD概念。这可能是GI-SAXS或者CD-SAXS,小角x射线散射。这是适用于任何类型的材料。所以我们可以从晶体外延,多晶和抗拒。这就是x射线进入一些传统的光学散射测量空间。
Mazor:基本上,CD-SAXS,你可以做计量7纳米或5纳米结构没有校准。这将为您节省大量的成本。问题是,现在仍然是,这种技术的生产力。但在这方面有很多的进步。我们将继续补上的生产力。一旦实现生产力,没有匹配的强大,非破坏性技术。我们认为这是接下来的3 d内存技术,先进的epi和finFETs。
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