标签:CD-SAXS

如何计量工具堆栈在3 d NAND闪存设备
通过劳拉·彼得斯——5月15日,2023 -评论:0

多个创新半导体加工需要支持3 d NAND位密度每年增加约30%的下降的成本,这些都需要满足大数据时代的非易失性存储需求。3 d NAND是第一个真正三维设备在生产中。它既是一种为新的计量方法和技术驱动程序的重要组成部分…»阅读更多

加快研发计量过程
通过马克LaPedus- 7月16日,2020 -评论:0

一些芯片制造商正在一些主要的变化表征/计量实验室,增加fab-like过程在这组帮助加速芯片开发时间。描述/计量实验室,通常根据雷达,是一组,研发组织和工厂使用。描述实验室参与了早期的分析工作next-generati……»阅读更多

计量挑战Gate-All-Around
通过马克LaPedus- 4月16日,2020 -评论:3

计量被证明是一个重大挑战的铸造厂工作流程gate-all-around 3纳米场效应晶体管。计量是测量和描述结构的艺术装置。测量和描述结构设备变得更加困难和昂贵的在每一个新节点,并引入新的类型的晶体管是更加困难。电动汽车……»阅读更多

芯片制造3海里
通过马克LaPedus和埃德·斯珀林- 4月16日,2020 -评论:4

选择铸造厂开始增加新的5 nm工艺研发的3海里。最大的问题是什么。2 nm节点的工作正在有条不紊地展开,但有许多挑战以及一些不确定性在地平线上。已经有迹象显示,铸造厂已推出3 nm生产计划几个月由于各种技术issu……»阅读更多

3 d NAND计量日益增长的挑战
通过马克LaPedus- 09年4月,2019 -评论:8

3 d NAND闪存供应商面临几个挑战他们的设备规模到下一个级别,但制造技术是在每个turn-metrology更加困难。计量、测量和描述的艺术结构,找出问题,确保收益用于所有芯片类型。对于3 d NAND,计量工具正变得越来越昂贵的在每个迭代中…»阅读更多

我们可以衡量下一代FinFETs吗?
通过马克LaPedus——11月21日,2016 -评论:6

后增加各自16 nm / 14 nm finFET流程,芯片制造商正在向10 nm和/或7海里,在研发5海里。但当他们向下移动过程路线图,他们将面临一系列新的工厂的挑战。除了光刻和互联,计量。计量、测量的科学是用来描述小电影和结构。它有助于提高彝族……»阅读更多

测量原子和超越
通过马克LaPedus——11月21日,2016 -评论:0

物理工程部门负责人大卫·西勒在物理测量实验室在国家标准与技术研究院(NIST),坐下来与半导体工程讨论计量的当前和未来的方向。NIST、物理科学实验室是美国商务部的一部分。以下是摘录的谈话。SE: W…»阅读更多

测量FinFETs将变得更加困难
通过马克LaPedus11月19日,2015 -评论:2

行业正在逐步迁移到芯片基于finFET晶体管在16 nm / 14 nm,但是生产这些finFETs工厂被证明是一个艰巨的挑战。finFETs模式是最困难的过程。但计量,另一个进程正迅速成为下一代晶体管技术的最大挑战之一。事实上,[getkc id = " 252 " kc_n……»阅读更多

在x射线计量
通过马克LaPedus11月19日,2015 -评论:0

芯片制造商增加芯片架构的一个新类,如3 d NAND和finFETs。测量和描述这些技术的微小结构是一个重大的挑战。不仅需要传统的计量工具,而且不同的x光技术。处理x射线计量,半导体工程最近讨论的趋势与以下专家:……»阅读更多

等待下一代计量
通过马克LaPedus——5月21日,2015 -评论:0

芯片制造商继续3月各流程节点,但这个行业需要新的突破将IC比例在10纳米。事实上,该行业将需要至少两个主要areas-patterning和创新[getkc id =“36”=“互连”评论]。还有其他方面的问题,但一个技术是快速上升的顶部附近list-metrology ....»阅读更多

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