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标签:XRD

计量选择随着设备需求的变化而增加
通过劳拉·彼得斯- 2023年1月10日-意见

半导体晶圆厂正在采取“全员参与”的方法来解决棘手的计量和良率管理挑战，结合工具、工艺和其他技术，因为芯片行业在前端向纳米片晶体管过渡，后端向异构集成过渡。光学和电子束工具正在扩展，而x射线检查正在增加。»阅读更多

纳米片fet驱动计量和检测的变化
通过凯伦·海曼- 2022年8月9日-评论:0

在摩尔定律的世界里，更小的节点导致更大的问题已经成为了一个真理。随着晶圆厂转向纳米片晶体管，由于这些和其他多层结构的深度和不透明性，检测线边缘粗糙度和其他缺陷变得越来越具有挑战性。因此，计量学正在采取更多的混合方法，一些著名的工具正在移动……»阅读更多

检查，测试和测量碳化硅
通过帕特里克Waurzyniak- 2021年10月12日-评论:0

实现汽车行业严格的零缺陷目标，正成为碳化硅基板制造商面临的一大挑战。随着碳化硅基板从150毫米晶圆迁移到200毫米晶圆，并将重心从纯硅转移，碳化硅基板制造商正努力实现足够的产量和可靠性。碳化硅(SiC)是硅和硬质合金材料的结合体，它已成为制造面糊的关键技术。»阅读更多

FinFET计量挑战增长
通过马克LaPedus- 2018年5月17日-意见

芯片制造商在10nm/7nm及以上的晶圆厂面临着众多挑战，但有一项通常不被关注的技术正变得尤其困难——计量学。计量学是测量和表征结构的艺术，用于查明设备和工艺中的问题。这有助于确保实验室和晶圆厂的产量。在28nm及以上，计量是一个简单的…»阅读更多

测量finfet将变得更加困难
通过马克LaPedus- 2015年11月19日-意见:2

半导体行业正逐渐转向基于16nm/14nm及以上finFET晶体管的芯片，但在晶圆厂制造这些finFET被证明是一项艰巨的挑战。模式化是finfet最困难的过程。但另一个过程，计量，正迅速成为下一代晶体管技术的最大挑战之一。事实上，[getkc id="252" kc_n…»阅读更多

内部x射线计量
通过马克LaPedus- 2015年11月19日-评论:0

芯片制造商正在开发一种新的芯片架构，比如3D NAND和finfet。在这些技术中测量和表征微小结构是一个主要的挑战。它不仅需要传统的计量工具，还需要各种x射线技术。为了掌握x射线计量学，半导体工程公司最近与以下专家讨论了趋势:……»阅读更多

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