如何提高数据密度,同时解决制造业的挑战。
在过去的10年中,3 d NAND闪存使新一代的非易失性固态存储有用的几乎所有电子设备的成因。3 d NAND可以实现数据密度超过2 d NAND结构,由于3 d集成的相对轻松,即使伪造后一代技术节点。3 d与非结构包含垂直通道正交皮尔斯一个交替堆叠导体/绝缘子的结构。字线分别通过staircase-like访问结构。本白皮书将讨论3 d的工作原理和生产过程挑战与非结构,随着技术进步的数据密度3 d NAND闪存设备。
点击阅读更多在这里。
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复