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在注册使用新颖的基于模型的方法测量先进技术面具

多模式需要更严格的规范模式先进设备尺寸变小。

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近年来,193 nm浸没式光刻技术已经扩展而不是采用EUV光刻。和多模式技术现在被广泛应用,这就需要更严格的规范模式先进的半导体器件尺寸变小。关于面具登记计量,需要考虑一些困难挑战紧在模式测量重复性和复杂。

在这项研究中,测量能力研究在新的注册登记IPRO5 +计量工具,和新的测量方法称为基于模型的测量是评估。性能和先进技术的前景的面具IPRO5 +基于评价结果进行了讨论。点击阅读更多在这里



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