令人难以置信的选项数组。
主要的半导体晶圆代工厂揭示了未来几年的先进技术路线图。他们都投资数十亿美元的发展过程技术和包装选择。替代品的数量被描述为“眼花缭乱”。所有的铸造厂如何保持盈利?客户如何决定哪些“路线”?
的20年间从1980年代中期到2000年代中期,工艺节点相对容易。Semico预测晶片需求非常明确的工艺类别。从2007年45/40nm节点开始,两大逻辑制造商(英特尔和台积电)以及竞争铸造厂就开始走上不同的道路。但仍相对清晰的路径。英特尔推出了他们的45 nm制程技术,然后台积电推出40 nm的过程。铸造厂开始专注于低功耗过程。然后他们跟进高性能过程以后几个月的四分之一。
今天,除了不同节点的数量,所面临的挑战包括英特尔声称他们10 nm过程与其他铸造厂提供的7海里。Semico相信产品需求的匹配过程性能和成本将决定市场接受,而不是营销的technology-naming公约。
今年5月,三星显示一个完整的菜单的过程或将在未来几年内发布。新流程将每年推出为新的和现有的客户提供多种选择,以满足竞争和广阔的产品市场应用需求。除了10 nm流程已经在生产中,三星计划提供风险生产8垂直距离,今年7 2018年垂直距离,6垂直距离和5垂直距离2019年和2020年4垂直距离。三星也将继续提供一个全耗尽SOI的过程。事实上,他们的路线图包括18 fds,于2019年被释放。
三星的铸造论坛之前,台积电提供了一个审查的过程选择在台积电技术研讨会。今年除了10海里被增加,台积电也有许多新工艺技术回到22纳米和12海里,以及汽车专业流程,MEMS和CMOS图像传感器。
2017年4月在技术论坛,台积电宣布他们已经12 2017年7海里tapeouts排队。他们还宣布8设计赢得16 ffc汽车平台。
最近,GlobalFoundries宣布7海里的可用性(7 lp) FinFET半导体技术。目前设计,基于7 lp的第一个客户产品预计将在2018年上半年推出,与批量生产在2018年下半年增加。
所有三个主要foundries-TSMC, GF和三星推出EUV公开处理。2017年3月,台积电提供的更新EUV显示成功,连续的吞吐量1400片/天/机器在125 w来源。他们相信他们将实现可接受的吞吐量在250 w 7纳米+的过程。N7 +将包括EUV层和将在2018年做好准备。
三星在5月初宣布他们已经证明成功的生产目标250 w的源动力。除了减少面具,三星预计将受益于EUV与更广泛的过程窗口和较小的CD变异。景深和CD控制提高了三星7海里EUV过程。此外,M1的双向模式允许灵活的金属球。三星预计将达到每小时140晶片在今年250 w。
女朋友是投资的两种EUV光刻工具在今年下半年。7 lp的初始生产坡道将基于光学光刻的方法,与时迁移到EUV光刻技术制造准备卷。
台积电和三星都说客户要求更多的选择由于广阔的市场预计将推出为物联网的应用程序,汽车、工业、深度学习,医学和其他新兴技术。除了大量的过程选择,每个铸造提供各种包装的选择。
有趣的是要注意,GlobalFoundries正在与他们的22纳米FD-SOI过程产生影响。Semico认为这是真的因为三星和台积电路线图增加了更多的选择来解决客户需要低功耗non-FinFET选项。三星在他们的投资组合提供了28 nm FD-SOI多年,最近添加的扩展他们的SOI提供18海里FD-SOI过程。台积电已经避免了PD和FD SOI和选择提供一个没有FinFET的22纳米工艺。non-SOI他们的论点是,它提供了一个简单的过渡流。
所以是过早选择铸造过程赢家或输家?将所有这些技术产品生存?Semico的预测表明在大多数技术对铸造服务的需求增加。绝对是一个需要制造能力。制客户如何做出选择呢?类似于使用GPS来计划我们的路线,我们可以选择最短的路线或最快的路线,如果交通状况改变,我们可以采取另一种路线,即使我们中途回家。正如没有一个杀手级应用,也不仅仅是一个杀手制造解决方案。每个流程和包装选项将评估基于产品和应用程序。这也意味着不仅仅是有一个基准,将为每一位客户是最优的。性能、功率和成本都是关键因素,但是,此外,还有一个舒适的因素,达到到一个本能的分析或直觉是基于过去的经验和知识而不是有意识的推理。
在此基础上,Semico不相信铸造市场份额将在未来几年内做出任何重大改变。最有可能的这些流程和包装选项不会成为主流或甚至生存。但我们相信,没有一个路线图,你甚至在游戏中。
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EUV、SOI…这些选项对设计有不同的影响。有如此多的变化如此之快,和设计成本如此之高,这可能会有趣。