EDA供应商准备7海里

不过早开始看7海里的设计工具,即使节点是在十年后才会生产就绪。

同时还在早期阶段,铸造厂与主要EDA公司已经在开发,即使水仍然是模糊的。

“7海里现在在早期的定义,所以我们不知道它会是什么,”观察Vassilios Gerousis,杰出的工程师节奏。“例如,铸造厂主要看EUV至少,这将简化EDA工具的物理地点和路线。别人看的进化光刻技术在10纳米处理三层颜色。14 nm我们处理双颜色在某些层,这意味着双重模式或三重模式,和10 nm我们还首次通过处理,这是金属层之间的联系,也成为双模式。问题是光刻是否会进化。如果EUV不来7海里,光刻技术可能需要我们做四模式,这意味着一层可能成为4面具,从本质上讲,甚至更多。”

节奏、14 nm开发完成。公司致力于10 nm的发展,达到alpha阶段,下一个测试阶段,他指出,预计高级客户和铸造厂开始看7海里在同一时间。

“我们已经开始使用一些铸造厂7海里。像EDA工具当前的产品和有工作的人也有工程师正致力于先进产品。它与硅是一样的。人们工作当前产品以及先进的项目。有些人开始7海里定义,”Gerousis说。

哲人引导、高级营销主任星系设计平台Synopsys对此,发现7海里此时是利用经验的“老”节点。

指着finFETs和搬到20 nm重大拐点,他指出,与20 nm双模式,第一次,整个生态系统必须处理的技术。finFETs“非常关注,而现在在16/14nm我们使用的是混合的。设备现在已经成为3 d和双模式,显然有很多,我们必须做的工作与铸造厂非常紧密的合作。我们注意到这些节点与铸造厂一直是我们合作的时间长得多的时间。特别是finFETs,甚至在这之前我们——尤其是与加州大学伯克利分校合作开发模型香料模型,我们发现的是在16 nm / 14 nm与铸造厂合作带来一个新节点通常需要大约18个月或更长时间。在旧的节点,它可能是一年或不到一年。”

协作与铸造厂更长时间等节点7海里由于显著的影响从设备和路由的角度来看,引导说。

时签字和权力分析领域,Shekhar Kapoor营销总监审核提取和权力在Synopsys对此表示,“这是明显的领域我们深度合作时间最长的铸造厂和大量的工作已经进入了20纳米技术和finFET节点。很多的准备已经存在。从我们的观点来看,我们看到没有变化。客户继续有兴趣了解越来越多的新技术。我们在所有这些早期的讨论。”

就像过去一样,是什么推动扩展到10纳米和7纳米性能和权力,但出现了新的问题。”有两个地区铸造厂尤其看晶体管一边是线的前端,和互连线(后端),”卡普尔说。“还有印刷适性方面,在制造业方面,这是所有的事情来实现性能并能打印。回到20海里,从晶体管的角度,设计工程师可以做些什么来增加流动性严重依赖制造业。这意味着什么,我们要做新效应的建模提供了测量精度与硅,例如。在互连方面,同样的事情如果他们继续使用当前的光刻技术-变化建模,例如。你看到了同样的模式在新的节点需要做什么,但是你可以想象复杂性不断增加,因为有更新的影响,新参数,你需要考虑。”

确保它的工作原理
通过7海里的时候,分层测试预计将无处不在。

”测试是一个有趣的类别,我们不一定开发解决方案和工具为特定节点,”Steve接线盒说硅产品营销主管测试解决方案导师图形。“不像,你有一个特定的甲板为特定节点,或特定的规则或特定节点要求,测试更多的是一个不断发展的领域。从这个意义上说它是有些节点不可知论者,所以我们不会创建一个特定的测试解决方案或一个特定的节点的能力。真的很更多的进化。当事情变得更重要,变得更加困难,需要改进或改进或扩展现有的解决方案以满足需求的一个新节点或某些事情在一个新节点变得更为重要。”

这成为明显的行业开始工作时在finFETs 16/14nm,突然很关心新缺陷类型。”3 d晶体管,当你看着首次finFET的临界尺寸,小于他们的实际分辨率节点本身,我们仍在处理。因此缺陷的报道变得更加关键的16岁和预计将保持这样10 nm和7海里,”他说。

在16/14nm不再足以看抽象的断层模型,这一趋势无疑将继续下降到10纳米,7海里。新的文本覆盖缺陷机制和模式生成需要。具体来说,测试团队将目标缺陷以外的网表,看看布局基于表达式的缺陷,导师图形指的是cell-aware建模。所以抽象建模的缺陷,他们从门抽象级别(即。寄生价值观从布局从每个细胞中提取用于模型的缺陷)。总值”,而不是仅仅依靠这些传统的抽象的方式建模的缺陷,我们需要明确定义的能力缺陷的存在条件。这将成为关键的10 nm和7海里,”接线盒说。

与这将是诊断和能够理解的缺陷,尤其是哪些是随机和系统在本质上和影响产量。在每一个新节点,斜坡变得更加困难,需要更好地了解在开发过程的早期缺陷的机制。反过来,需要反馈给设计。

谁将搬到7海里?
工具提供商的一个急待解决的问题在设计和制造方面是哪些公司和应用程序将首先利用7海里。

毫无疑问的第一个球员在这个市场将是那些最高的体积和足够的成本弹性和力量来证明投资的必要性。

”将会有一个大的部分,将finFETs,但也有很多人选择留在28 nm或使用其他节点,建立“引导。“我们看到先进的设计这两种类型的节点,但而言,谁会真的去较小的几何图形,如果这一趋势继续下去,段转向finFETs可能继续迈向更小的几何图形由于成本因素和必须处理的新技术。平均设计团队不能证明这些较小的节点移动。”