白光干涉法对CMP元件的测量和分析优势。
更快的计算机和电子处理器要求集成电路(IC)具有更小的功能，这反过来又要求更小和更光滑的衬底表面。化学机械抛光(CMP)已成为最关键的半导体制造技术之一，因为它提供了一种优越的方法来去除层间介电层中不需要的地形，并为创建IC或高级封装的混合键合提供足够的平面度。抛光调理垫和调理剂对CMP工艺的平整化性能有显著影响。因此，在CMP垫/空调的开发和选择以及整体CMP空调过程方面进行了大量研究。本应用说明描述了白光干涉法(WLI)为各种CMP组件提供的测量和分析优势。它还详细介绍了一项改进研究，该研究调查了CMP过程中晶圆下流体层的粗糙行为，并揭示了抛光和调理对衬垫的影响，以及晶圆抛光结果。
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