不仅非破坏性技术使用中波长测量W休会3 d与非结构。
由尼克·凯勒和安迪安东内利
你阅读这些报告:内存市场是随着半导体产业穿过另一个挣扎稀缺性/盈余周期。
尽管如此,创新是发生在这个行业继续追求越来越高的三维栈,与3 d NAND栈比200层进入高产量。
然而,有挑战。其中:传统的光学临界尺寸(OCD)计量系统困难测量中的钨(W)休会wordline (WL)缝后更换门一步。使用这是一个明显的问题是高纵横比(HAR)堆栈层达到96或更高。对于制造商来说,能力测量W课间休息是至关重要的。Under-etching W替换盖茨在课间休息可以导致wordlines短,虽然over-etching W盖茨可以破坏细胞或造成的短wordline源代码行。
目前,没有在线过程控制解决方案,它可以测量W凹槽的底部3 d NAND闪存设备更换门后的过程。不仅仅是几层的堆栈,整个结构变得透明紫外/可见/近红外区域,许多强迫症的典型波长系统。此外,增加wordline缝间距比例进一步降低了最小的光信号的3 d与非结构底部。
一个这样的机会是一种非破坏性技术的形式通过中红外波长来测量后的3 d W休会NAND结构腐蚀过程。不仅中红外(中)光学临界尺寸(CD)计量(或IRCD)已被用于测量通道孔腐蚀和非晶碳硬掩模刻蚀,但我们发现它还可以用来测量W休会到3 d的底部NAND闪存设备腐蚀和替换门过程后,由于新技术涉及表面等离子体极化声子和专门通过外围(VtP)目标。
图1:大型W通过更换通道孔在3 d NAND闪存设备专业通过外围(VtP)目标。
使用的时域有限差分(FDTD)和强迫症模拟,不仅专业测量的目标是,使开发中光穿透金属和二氧化硅对到达底部的W休会,反过来,允许的测量Z-profile wordline W休会的狭缝。
VtP的结构,光可以一对表面等离子体极化声子(许可证),集体纵向振动的电子等离子体,通过wordline休会,SiO和传播2衬垫底部文章层3 d NAND闪存设备的波长的5、6、7和10µm。8和9的波长µm, SiO的吸收特性2通过结构影响能力,很大程度上是由于强烈的Si-O债券,导致介电函数的实部成为负数,所以许可证不能兴奋。然而,SPP振荡wordline缝中可见波长的6、7和10µm, SPP振荡在SiO也明显2衬管周围的W通过更短的波长相比缝地区由于距离较小的差距。更重要的是,这个VtP / SPP技术HAR结构在200层和更高的工作。
图2:数值模拟提供了一个精确的物理模型的许可证的传播结构,与电场传播设备的底部结构的波长6µm(如图2 b和c),和它对应于高度衰减振荡的模拟光谱波长的6到6.5µm(环绕在图2 d)。
W休会步骤是一个关键的3 d NAND制造过程的一部分。但通过使用一个VtP结构,一个IRCD计量系统设计的3 d NAND和哈尔设备和model-guided机器学习,这一重要的挑战是可以克服的。这种技术演示的能力来衡量和捕获CD /休会剖面变化对整个W休会在哈尔200或更高的设备层,提供一种新的计量解决方案为下一代的3 d NAND闪存设备。
安迪·安东内利先进的研发副总裁到创新。
|
|
|
|
|
|
|
|
|
|
留下一个回复