今年资本支出预计将持平,2014年略有回升。
半导体产业是昂贵的。每年花费数十亿美元来保持晶圆厂运行,建立新的晶圆厂,并把这个过程技术越来越大的高度。将花费数十亿美元使450毫米生产成为现实。2013年1月,Semico预测,基于一些公司的初步迹象,总资本支出今年将持平。根据目前的数据通过第三季度和第四季度的预期,我们保持资本支出预测持平在-0.05%,今年556亿美元从557亿年的2012美元。2014年,我们初步估计资本支出将增长1.7%。
这个前景是基于Semico半导体的预测和早期迹象从几个关键企业,充其量是不温不火。唯一真正的支出预计将增长来自于内存制造商。
这张图突出了2013 - 2014年五大消费。三星的2013列119亿美元,可能将导致明年再次。英特尔已减少了资本支出今年几次,最终,应该不到110亿美元。台积电可能会增加其明年支出略,在今年增加17%。
GlobalFoundries明年预计将增加支出,因为它完成技术开发中心的建设在马耳他和可能开始建设工厂8.2明年晚些时候在纽约。海力士轮的前五名今年大约30亿美元的开支。在一起这五个将使2014年预测总开支的70%,略低于今年的72%。
由于保守的容量增加记忆在过去的几年里和DRAM制造商的整合,产业在2013年经历了DRAM短缺。平均销售价格增加,预计将增长45%。DRAM今年收入预计将增长38%。NAND闪存价格稳定。尽管公司继续关注密度转换和生产效率的提高,Semico相信内存制造商将购买更多的设备来增加能力和继续facilitize 3 d NAND线。
微米,尔必达收购完成。未来公司将有一个更高的资本支出,因为它将覆盖尔必达和瑞晶。微米现在有几个项目,包括和生产转移到新加坡和弗吉尼亚,过渡从DRAM NAND在新加坡,增加25 nm DRAM尔必达,以及积极15 nm NAND生产。微米的支出将在2014年增长32%。微米已经开始抽样HMC(混合内存立方体)产品,但预计不会在批量生产,直到2014年末或超越。
从火中恢复在海力士的无锡工厂将意味着某个2013年资本支出增长,尽管该公司保持沉默的确切数量增加。海力士的NAND能力从它的正常水平,下降了25%至30%的公司使用NAND闪存设备运行DRAM。该公司计划3 d NAND样品准备在2014年初,在今年末开始大规模生产。
东芝和SanDisk预计2014年增加开支比2013年当他们继续推出1 ynm过渡。生产1 z节点预计将在2014年晚些时候开始,试验性生产的3 d NAND闪存产品,花费可伸缩(BiCS)与非,在2015年和批量生产。
三星是唯一主要的内存制造商可能会花更少的在2014年的资本支出,因为这将增加新的上半年中国NAND工厂大规模生产。3 d NAND大规模生产已经开始在韩国,在中国工厂也可以生产3 d VNAND。
总的来说,Semico保守DRAM的能力将会继续投资的三大公司试图保持更好的控制供应/需求动态。将继续有NAND闪存容量投资增加;然而;在未来几年内采用3 d与非结构有望减缓支出先进光刻技术升级。
这是摘自一篇文章在我们每月的时事通讯,IPI报告。全文,里克Vogelei在联系(电子邮件保护)订阅。
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