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寻找下一个晶体管
通过马克LaPedus2014年2月- 20(-评论:3

在短期内,尖端芯片路线图看起来相当清楚。基于今天的finFETs和芯片平面完全耗尽的绝缘体(FDSOI)技术将缩小到10 nm节点。但是,CMOS路线图变得雾蒙蒙的7海里。这个行业一直在探索新一代晶体管候选人,但突然,一些技术……»阅读更多

2014年资本支出:内存就是其中的佼佼者
通过艾德丽安唐尼2013年12月- 12 -评论:0

半导体产业是昂贵的。每年花费数十亿美元来保持晶圆厂运行,建立新的晶圆厂,并把这个过程技术越来越大的高度。将花费数十亿美元使450毫米生产成为现实。2013年1月,Semico预测,基于一些公司的初步迹象,总资本支出今年将持平。根据目前的d…»阅读更多

3 d NAND之后是什么?
通过马克LaPedus- 9月19日,2013 -评论:0

由马克LaPedus平面NAND闪存在其持续扩展的腿,用3 d NAND将成为无处不在的2 d技术的继承人。举例来说,三星电子已经开始航运行业的首部3 d NAND闪存设备,24-level, 128 -千兆芯片。此外,微米和SK海力士不久将各自的3 d NAND闪存设备。但Toshiba-SanDisk二人瞧……»阅读更多

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