标签:虚拟流程建模

提高栅周围晶体管性能使用虚拟窗口的探索过程
通过Sumant Sarkar——7月25日,2023 -评论:0

随着晶体管尺寸缩小,短沟道效应晶体管盖茨使它更难以打开和关闭一个晶体管[1]。解决这个问题的一个方法是离开平面晶体管架构对3 d设备。Gate-all-around(棉酚)的体系结构的一个例子这种类型的3 d设备[2]。棉酚晶体管的栅氧化层包围着四面八方....频道»阅读更多

提高DRAM通过鞍鳍流程优化设备性能
通过Taeyon (TY)哦- 15,2023 -评论:0

DRAM技术节点相应减少了,访问晶体管问题已经强调由于弱可控性。鞍鳍与埋设通道晶体管阵列(BCAT)随后采取增加通道长度,防止短沟道效应,增加数据保留时间[1]。然而,在超出20纳米技术节点,确保足够的设备性能(苏…»阅读更多

沉积和蚀刻技术来降低半导体金属线的阻力
通过蒂莫西·杨4月- 20,2023 -评论:0

铜的电阻率取决于它的晶体结构,孔隙体积,晶界和材料接口不匹配,它变得越来越重要的在较小的尺度上。铜的形成(铜)电线通常是由二氧化硅材料蚀刻槽模式在性能使用沟腐蚀过程,随后通过波纹与铜填充沟流。不幸的是,这种冰毒……»阅读更多

线边缘粗糙度(l)如何影响半导体性能先进的节点?
通过玉德陈——2022年9月26日-评论:0

BEOL金属线RC延迟已成为主导因素,限制了芯片的性能先进节点[1]。小金属球需要窄线CD和线间间距,介绍高金属线路电阻和线间电容。这是显示在图1中,它显示了一个模拟线路电阻与直线CD不同BEOL金属。即使没有……»阅读更多

3 d NAND虚拟过程故障诊断和调查
通过布雷特劳- 8月18日,2022 -评论:0

现代半导体过程非常复杂,涉及成千上万的个人互动流程步骤。在开发这些流程步骤,障碍和壁垒经常遇到意外的形式-上游和下游过程模块之间的相互作用。这些障碍可以创建一个在开发周期的长期拖延,增加成本。…»阅读更多

流程模型校准:建立预测和精确的3 d的关键流程模型
通过Coventor- 6月16日,2021 -评论:0

半导体行业一直面临挑战造成的设备扩展、体系结构演化和过程的复杂性和集成。这些挑战是加上一个需要快速向市场提供新技术。在半导体技术发展的初始阶段,创新流程方案必须使用硅晶圆测试。测试这些晶片测试len…»阅读更多

流程模型校准:建立预测和精确的3 d流程模型
通过Coventor9月- 16,2020 -评论:0

半导体行业一直面临挑战造成的设备扩展,架构演化和过程复杂性和集成。这些挑战是加上一个需要快速向市场提供新技术。在半导体技术发展的初始阶段,创新流程方案必须使用硅晶圆测试。测试这些晶片测试愣…»阅读更多

流程模型校准:建立预测和精确的3 d流程模型
通过Coventor8月- 20,2020 -评论:0

半导体行业一直面临挑战造成的设备扩展,架构演化和过程复杂性和集成。这些挑战是加上一个需要快速向市场提供新技术。在半导体技术发展的初始阶段,创新流程方案必须使用硅晶圆测试。测试这些晶片测试愣…»阅读更多

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