标签:SOI finFETs

7和5 nm会是什么样子?
通过马克LaPedus——7月23日,2015 -评论:0

以各式各样的秘密制造问题为由,英特尔推出7月10 nm芯片和过程技术的引入2017年下半年。这是大约6个月或者更多,比预期晚。延迟10 nm, [getentity id = " 22846 " e_name =“英特尔”)也推出其过程节奏从2到2.5年。与此同时,其他铸造厂正在努力保持…»阅读更多

问题和选项5海里
通过马克LaPedus——3月19日,2015 -评论:0

在铸造厂加大他们的流程为16 nm / 14 nm节点,供应商也忙于开发技术10 nm和超越。事实上,芯片制造商正在敲定10 nm制程产品,但他们仍然重7海里的技术方案。如果这还不够,IC制造商开始看选项5 nm和超越。今天,芯片制造商可以看到一个p…»阅读更多

晶体管的选择缩小7海里
通过马克LaPedus11月- 13,2014 -评论:0

芯片制造商目前正在加大硅finFETs 16 nm / 14 nm节点,计划规模相同的技术到10纳米。现在,该行业关注的晶体管选项7海里。有一段时间,几个下一代晶体管类型涉及的主要竞争者。目前,行业缩小选项和一个技术是一个令人惊讶的lea……»阅读更多

一对一:马克波尔
通过马克LaPedus- 9月18日,2014 -评论:1

半导体工程坐下来讨论过程技术,晶体管的趋势,芯片封装和其他主题的马克•波尔高级研究员和英特尔的流程架构和集成主管。SE:英特尔公司最近推出了新14 nm芯片基于其过程。你能简要描述14 nm过程?玻尔:这是我们的第二代,三栅极的技术。所以它有阿尔……»阅读更多

7和5 nm真的会发生吗?
通过马克LaPedus7月- 14,2014 -评论:2

今天的硅基finFETs可能失去势头在10纳米。如果或当芯片制造商超越10 nm, IC供应商将需要一个新的晶体管架构。III-V finFETs, gate-all-around场效应晶体管,量子井finFETs, SOI finFETs和垂直纳米线只是几个未来的晶体管候选人在7和5 nm。从技术上讲,这是可能的制造晶体管的部分……»阅读更多

7和5 nm真的会发生吗?
通过马克LaPedus——6月19日,2014 -评论:11

作为领先的芯片制造商继续增加其28 nm和20 nm制程设备,供应商也在更新他们的未来技术路线图。事实上,IC制造商正在谈论他们的新装运时间表10纳米。GlobalFoundries,英特尔、三星和台积电是缩小选项7海里,5 nm和超越。有一个高概率,IC制造商可以扩展到10纳米,但供应商面临…»阅读更多

寻找下一个晶体管
通过马克LaPedus2014年2月- 20(-评论:3

在短期内,尖端芯片路线图看起来相当清楚。基于今天的finFETs和芯片平面完全耗尽的绝缘体(FDSOI)技术将缩小到10 nm节点。但是,CMOS路线图变得雾蒙蒙的7海里。这个行业一直在探索新一代晶体管候选人,但突然,一些技术……»阅读更多

10 nm之后是什么?
通过马克LaPedus11月- 14,2013 -评论:0

一段时间,每个节点的晶体管数,芯片制造商大约翻了一倍,同时削减成本29%左右。IC缩放,反过来,使芯片更快和更低的成本,最终转化为更便宜的电子产品有更多的功能。消费者已经习惯了摩尔定律的好处,但问题是多久?基于芯片的……»阅读更多

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