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下一代芯片推出高选择性蚀刻技术


几家蚀刻供应商开始推出下一代选择性蚀刻工具,为新的内存和逻辑设备铺平了道路。2016年,应用材料公司是第一家推出下一代选择性蚀刻系统(有时被称为高选择性蚀刻)的供应商。现在,Lam Research, TEL和其他人正在运输具有高选择性蚀刻功能的工具,为未来的设备做准备。»阅读更多

下一代晶体管


纳米片,或者更一般地说,栅极全能fet,标志着最先进节点晶体管结构的下一个重大转变。Lam Research计算产品副总裁David Fried与《半导体工程》杂志讨论了使用这些新型晶体管的优势,以及未来节点的无数挑战,特别是在计量领域。»阅读更多

晶体管和芯片的下一步是什么


Imec CMOS技术高级副总裁Sri Samavedam接受了《半导体工程》杂志的采访,讨论了finFET缩放、栅极全能晶体管、互连、封装、芯片和3D soc。以下是那次讨论的节选。SE:半导体技术路线图正朝着几个不同的方向发展。我们有传统的逻辑缩放,但包装…»阅读更多

提高纳米片fet通道释放过程机械稳定性的内部衬垫工程


“研究了纳米片fet制备过程中的机械应力。特别是,在通道释放过程中,由重力引起的不必要的机械不稳定,通过三维模拟详细介绍。模拟结果显示了悬浮纳米片的物理缺陷和纳米片厚度的影响。基于几何原理的内隔层工程»阅读更多

晶体管和集成电路架构的未来


《半导体工程》杂志与英伟达制造与工业全球业务发展主管陈杰(Jerry Chen)坐下来讨论了芯片缩放、晶体管、新架构和封装;Lam Research计算产品副总裁David Fried;KLA营销和应用副总裁Mark Shirey;以及D2S首席执行官藤村昭。以下是节选…»阅读更多

3nm/2nm新晶体管结构


几家代工厂继续开发基于下一代栅极全能晶体管的新工艺,包括更先进的高移动性版本,但将这些技术投入生产将是困难和昂贵的。英特尔,三星,台积电和其他公司正在为从今天的finFET晶体管过渡到新的门全能场效应转换奠定基础。»阅读更多

Imec的持续扩张计划


在12月的IEDM上,开幕主题演讲(严格来说是“全体会议1号”)由Imec的Sri Samevadam主持。他的演讲题目是“走向原子通道和解构芯片”。他介绍了Imec对半导体未来发展的看法,包括摩尔定律(缩放)和摩尔定律(先进封装和多晶圆)。听到Imec的世界观总是很有趣,因为…»阅读更多

电子束检测发现缺陷


几家公司正在开发或推出下一代电子束检测系统,以减少先进逻辑和存储芯片的缺陷。供应商对这些新的电子束检测系统采取了两种方法。一种是更传统的方法,使用单束电子束系统。与此同时,其他公司正在开发更新的多波束技术。两种方法都有各自的优点。»阅读更多

加快研发计量进程


几家芯片制造商正在对表征/计量实验室进行一些重大改变,在该小组中添加更多类似晶圆厂的流程,以帮助加快芯片开发时间。表征/计量实验室通常不为人知,是一个与研发组织和晶圆厂合作的小组。表征实验室参与了下一代的早期分析工作。»阅读更多

新一代芯片的堆叠、收缩和检查面临的挑战


Lam Research的CTO Rick Gottscho与《半导体工程》杂志一起讨论了内存和设备的扩展,新的市场需求,以及由成本、新技术和机器学习应用驱动的制造业变化。以下是那次谈话的节选。SE:我们有很多不同的存储技术即将进入市场。这有什么影响呢?...»阅读更多

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