标签:nanosheet场效应晶体管

计量挑战Gate-All-Around
通过马克LaPedus- 4月16日,2020 -评论:3

计量被证明是一个重大挑战的铸造厂工作流程gate-all-around 3纳米场效应晶体管。计量是测量和描述结构的艺术装置。测量和描述结构设备变得更加困难和昂贵的在每一个新节点,并引入新的类型的晶体管是更加困难。电动汽车……»阅读更多

芯片制造3海里
通过马克LaPedus和埃德·斯珀林- 4月16日,2020 -评论:4

选择铸造厂开始增加新的5 nm工艺研发的3海里。最大的问题是什么。2 nm节点的工作正在有条不紊地展开,但有许多挑战以及一些不确定性在地平线上。已经有迹象显示,铸造厂已推出3 nm生产计划几个月由于各种技术issu……»阅读更多

5/3nm战争开始
通过马克LaPedus1月23日,2020 -评论:6

一些铸造厂加大他们的新的5 nm工艺在市场上,但现在客户必须决定是否设计他们的下一个芯片在目前晶体管类型或移动到一个不同的一个3 nm和超越。涉及移动扩展的决定今天的finFETs 3海里,或实现一个新的技术称为gate-all-around场效应晶体管(棉酚场效应晶体管)3或2 nm。一个进化步骤f……»阅读更多

多模式EUV与High-NA EUV
通过马克LaPedus2019年12月- 04 -评论:4

铸造厂终于在生产与EUV光刻7海里,但芯片客户现在必须决定是否使用EUV-based实现他们的下一个设计多个模式5 nm / 3 nm或等待一个新的单井网EUV系统3 nm和超越。这个场景围绕ASML目前的极端紫外线(EUV)光刻工具(NXE: 3400 c)和一个全新的EUV系统……»阅读更多

另一块砖或两个芯片设计的墙
通过埃德·斯珀林9月- 12,2019 -评论:1

在世界半导体物理挑战来来去去。但渐渐地,他们也留下来,最糟糕的时候出现在不方便的地方。芯片行业面临和解决了一些巨大的挑战。有1微米光刻墙,这是令人费解的。紧接着,193纳米光刻挑战,花费数十亿……»阅读更多

接下来的晶体管
通过马克LaPedus1月23日,2017 -评论:1

集成电路产业正朝着不同的方向。最大的芯片制造商继续游行过程与芯片扩展节点,而另一些则向各种先进的包装方案。最重要的是,post-CMOS设备,神经形态芯片和量子计算都是在工作。半导体工程坐下来讨论这些技术与玛丽Semeri…»阅读更多

不确定性的增加5 nm, 3海里
通过马克LaPedus12月19日,2016 -评论:4

一些芯片制造商增加10 nm finFET过程,与7海里指日可待,研发已经开始5海里。事实上,一些已经在场上移动全速前进。[getentity id = " 22586 "评论=“台积电”)最近宣布计划建立一个新的工厂在台湾,耗资157亿美元。该工厂是针对生产台积电5和3 nm流程,制作……»阅读更多

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