标签:整体三维

重新设计通用单片3D系统的核心和缓存层次结构
通过技术文件链接- 2022年10月24日-评论:0

ETH Zürich、KMUTNB、NTUA和多伦多大学的研究人员发表了一篇题为“RevaMp3D:为具有单块集成逻辑和内存的系统构建处理器核心和缓存层次结构”的技术论文。摘要:“最近的纳米技术进步使单片3D (M3D)集成多个内存和逻辑层在单个芯片上具有细颗粒…»阅读更多

3D分区
通过凯瑟琳德比郡- 2019年5月23日-意见:2

提高晶体管密度的最好方法不一定是把更多的晶体管塞到一个芯片上。摩尔定律的原始形式表明，设备密度大约每两年翻一番，而成本保持不变。它依赖于这样一种观察，即不管在硅片上印刷多少器件，加工后的硅片的成本都保持不变，而这反过来又依赖于litho…»阅读更多

高级包装并非如此简单
通过埃德·斯珀林- 2018年1月8日-评论

高级包装的前景涉及多个领域，但没有一种包装方法可以解决所有这些问题。这就是为什么在包装领域还没有明确的赢家。这对性能有明显的好处，因为封装中两个芯片之间的距离可以明显短于信号从芯片一侧传输到另一侧的距离。此外,wi……»阅读更多

让2.5D风扇更便宜
通过埃德·斯珀林- 2016年11月17日-意见:2

既然它已经被证明是有效的，那么让先进的[getkc id="27" kc_name="包装"]更便宜的竞赛就开始了。虽然设备规模可能还会持续10年或更长时间，但能够负担得起开发领先soc的公司数量将继续下降。现在要解决的问题是什么可以取代它，补充它，或者重新定义它。在……»阅读更多

晶体管会变得多小?
通过马克LaPedus- 2016年8月18日-评论

几乎所有人都同意摩尔定律正在变慢。但是，它是否会真正结束，或者只是变得过于昂贵和无关紧要——以及什么将取代设备缩放——是一些影响深远的研究和大量讨论的主题。《半导体工程》杂志与三家顶级研究机构的领导人进行了面对面的交谈。»阅读更多

寻路超越finfet
通过波拉多伊- 2016年6月13日-评论:0

尽管业界可能会继续寻找方法来扩展CMOS finFET技术，但在不远的将来，制造更快、更低功耗的ic将需要更多颠覆性的变化。对于一个可能只有5到7年时间的东西，有一系列令人生畏的竞争技术。从E…»阅读更多

微机电系统的麻烦
通过埃德·斯珀林- 2016年5月25日-意见:0

物联网的出现将为基于mems的传感器带来一系列新的机会，但芯片制造商正在谨慎地推进。这种克制有很多原因。微机电系统很难设计、制造和测试，这最初点燃了MEMS生态系统的乐观情绪，认为这个市场将获得与模拟产品相同的溢价。»阅读更多

5nm技术会实现吗?
通过马克LaPedus- 2016年1月20日-意见:7

芯片制造商正在提高他们的16/14纳米finFET工艺，预计10纳米finFET将在2016年底或2017年初上市。那么接下来呢?晶圆代工厂可以看到将finFET晶体管扩展到7纳米的路径，但下一个节点，5纳米，还远未确定，可能永远不会发生。事实上，5nm技术在技术和经济上都面临着一些挑战。即使实现了5nm技术，也只有少数公司……»阅读更多

记忆选择增长
通过埃德·斯珀林- 2015年11月24日-评论

内存正在成为SoC架构的起点之一，从一个基本的检查清单项目演变而来，几乎总是处于提高处理器性能或降低整体功耗预算的阴影中。与这种转变相结合，芯片制造商现在必须努力应对更多关于位置、内存类型和访问优先级的前端决策。有很多规则……»阅读更多

为什么包装很重要
通过埃德·斯珀林- 2015年11月19日-评论

半导体封装正在发生变化。直到最近还被认为是事后的想法，现在已经成为所有主要芯片制造商设计过程的关键部分，也是摩尔定律扩展的关键因素。这是在平面硅设计和制造中几乎普遍的事后思考的一个尖锐的逆转。这个包裹很少是亚基岩的组成部分……»阅读更多

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