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标签:钼

如何比较芯片
通过埃德·斯珀林- 2022年9月15日-评论:0

传统的半导体指标在最先进的设计中变得越来越没有意义。每平方厘米中晶体管的数量只在它们能被利用的情况下才重要，如果不能给所有晶体管提供足够的功率，那么每瓦性能就无关紧要了。整个芯片行业的共识是，每个晶体管的成本在逐年上升。»阅读更多

将铜互连扩展到2nm
通过劳拉·彼得斯- 2022年3月17日-意见:0

晶体管的比例在3nm达到了一个临界点，纳米片fet很可能取代finfet，以满足性能、功率、面积和成本(PPAC)的目标。类似地，一个重大的架构变化正在被评估为2纳米铜互连，这一举措将重新配置功率传输到晶体管的方式。这种方法依赖于所谓的地下电力轨道(BPRs)和…»阅读更多

晶体管和芯片的下一步是什么
通过马克LaPedus- 2021年10月21日-意见:5

Imec CMOS技术高级副总裁Sri Samavedam接受了《半导体工程》杂志的采访，讨论了finFET缩放、栅极全能晶体管、互连、封装、芯片和3D soc。以下是那次讨论的节选。SE:半导体技术路线图正朝着几个不同的方向发展。我们有传统的逻辑缩放，但包装…»阅读更多

EUV薄膜终于准备好了
通过马克LaPedus- 2021年3月22日-意见:0

经过一段时间的延迟，EUV薄膜正在出现，并成为关键芯片大批量生产的必要条件。与此同时，极紫外(EUV)光刻的薄膜景观正在发生变化。作为EUV薄膜的唯一供应商，ASML正在将这些产品的组装和分销转移给三井。其他人也在为下一代EUV开发薄膜。»阅读更多

打破2纳米的障碍
通过马克LaPedus- 2021年2月18日-评论

芯片制造商在最新的工艺节点上继续利用晶体管技术取得进步，但这些结构内部的互连却难以跟上步伐。芯片行业正在研究几种技术来解决互连瓶颈，但其中许多解决方案仍处于研发阶段，可能在一段时间内不会出现——可能要到2nm才能出现。»阅读更多

更多EUV掩模间隙
通过马克LaPedus- 2016年11月17日-评论:12

极紫外(EUV)光刻技术正处于关键时刻。经过几次延迟和故障，[gettech id="31045" comment="EUV"]现在的目标是7nm和/或5nm。但在EUV投入大规模生产之前，仍有许多技术必须结合在一起。如果这些碎片不到位，EUV可能会再次滑落。首先，EUV源必须产生更多…»阅读更多

仍在寻找稀土
通过马克LaPedus- 2015年8月20日-评论

对于稀土买家来说，有好消息也有坏消息。好消息是:现在是买方市场。由于市场供过于求，稀土价格依然低迷。坏消息是:供应商基础并不稳固。中国仍占世界稀土总产量的85%，但大多数中国供应商都在亏损经营。两家主要的非中国供应商，M…»阅读更多

再次寻找稀土
通过马克LaPedus- 2015年2月19日-评论:0

稀土再次成为人们关注的焦点。稀土是地壳中发现的化学元素。它们被用于汽车、消费电子产品、计算机、通信、清洁能源和国防系统。稀土最大的市场是磁铁。在半导体生产中，稀土被用于高k介质、CMP泥浆和其他应用。去年，世界锦标赛…»阅读更多

系统位:7月1日
通过安Mutschler- 2014年7月1日-评论:0

为了制造能经受住滥用的电子设备，工程师们一直在测试基于灵活可切换的新材料的电子系统——也就是说，能够在两种电子状态之间切换:开-关，1 - 0，可以对所有东西进行数字化编程的二进制命令。与此同时，斯坦福大学的三位研究人员认为，他们已经发现了这样的……»阅读更多

生产时间:4月15日
通过马克LaPedus- 2014年4月15日-评论:0

自组装纳米墙德克萨斯农工大学和国际碳中性能源研究所使用自组装过程，设计了一种名为“纳米墙”的新技术。[标题id="attachment_11488" align="alignnone" width="499"]研究人员使用普通喷枪制备自组装纳米颗粒薄膜。(资料来源:德州农工大学)。(/标题)研究员……»阅读更多

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