标签:性能电介质

Nanosheet GAAFETs:紧凑型建模(Politecnico di都灵)
通过技术论文链接- 07年6月,2023 -评论:0

技术论文题为“NS-GAAFET紧凑型建模:Sub-3-nm电路性能的技术挑战”是由研究人员发表Politecnico di都灵。文摘:“NanoSheet-Gate-All-Around-FETs (NS-GAAFETs)通常被认为是未来技术,推动数字节点扩展到低于纳米范围。NS-GAAFETs预计将取代FinFETs几年后,为…»阅读更多

介电材料力学特性的超性能的电影
通过力量2023年2月- 08年(-评论:0

介电材料是至关重要的微电子设备的功能,因为他们在微电路电隔离导电组件从一个另一个。导体之间的电容可以限制电路的最大工作频率,和电容的增加和导体之间的分离距离反比。因此,为了减少年代……»阅读更多

电力/性能:5月10日
通过杰西·艾伦2021年5月- 10 -评论:0

概率一点东北大学的研究人员正致力于构建概率计算机通过开发一个spintronics-based概率(p-bit)。研究人员利用磁隧道结(mtj)。最常用的MRAM技术,热波动通常构成威胁稳定的存储信息,在这种情况下这是一个好处。f p位……»阅读更多

10/7nm的竞赛
通过马克LaPedus——5月22日,2017 -评论:4

在坡道16/14nm过程不断的市场,该行业正在准备下一个节点。事实上,GlobalFoundries,英特尔、三星和台积电相互比赛船10 nm和/或7纳米技术。当前迭代10 nm和7纳米技术的扩展版本今天的16 nm / 14 nm finFETs与传统铜互联,high-k /金属门和性能diele……»阅读更多

政治和(低)的力量
通过埃德·斯珀林11月- 10,2016 -评论:4

本周整个半导体市场严重政治宿醉醒来。除了最初的震惊的选举结果,获得平台的“美国第一”的行业有深远的意义,花了几十年的全球供应链优化其他进程调试的方式降低成本/晶体管。有许多联合国…»阅读更多

7纳米工厂挑战
通过马克LaPedus- 4月21日,2016 -评论:3

先进铸造供应商的挑战从传统的平面流程过渡到finFET晶体管时代。第[getkc id = " 185 " kc_name = " finFETs "]是基于22 nm节点,现在这个行业增加16 nm / 14纳米技术。展望未来,问题是finFET可扩展多远。事实上,从三星预计增加10 nm finFETs你们……»阅读更多

内部工艺
通过马克LaPedus- 4月21日,2016 -评论:1

半导体工程坐下来讨论铸造业务,内存,进程技术、光刻和其他主题与大卫油炸,首席技术官(getentity id = " 22210 " e_name =“Coventor”],预测建模工具的供应商。以下是摘录的谈话。SE:芯片制造商增加16 nm / 14 nm finFETs今天,10 nm和7海里finFETs只是在…»阅读更多

为什么要使用一个包吗?
通过埃德·斯珀林- 1月21日,2016 -评论:0

萨勃拉曼尼亚艾耶,尊敬的总理教授在加州大学洛杉矶分校电气工程部门的前同事和系统扩展技术部门主任IBM-sat与半导体芯片工程谈论未来的扩展。以下是摘录的谈话。SE:先进的包装是被视为一种延伸扩展的砰的一声……»阅读更多

海绵、摩天大楼和性能
通过凯瑟琳德比郡4月- 20,2015 -评论:1

海绵是一种多孔结构。所以是一个摩天大楼。这两个非常不同的图像例证材料被认为是先进的低介电常数材料(κ)。大多数多孔电介质被测试到目前为止像海绵。英特尔的大卫·麦克拉克解释说在本月材料研究学会(夫人)春季会议,这些材料包括英航……»阅读更多

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