标签:填满

流程创新使下一代soc和记忆
通过劳拉·彼得斯2023年2月- 20(-评论:0

实现改善性能先进的soc和包——用于移动应用程序,数据中心,和AI——需要复杂的和潜在的昂贵的架构的变化,材料,和核心制造过程。以下选项中考虑新的计算架构,不同的材料,包括薄势垒层和高th……»阅读更多

在下一代的晶体管
通过马克LaPedus4月- 20,2017 -评论:0

首席技术官David炸(getentity id = " 22210 " e_name =“Coventor”],坐下来与半导体工程讨论了集成电路产业,中国、缩放、晶体管和过程的技术。以下是摘录的谈话。SE:在最近的一次圆桌会议讨论你谈到的一些集成电路产业面临的巨大挑战。你的一个大问题包括th……»阅读更多

ECO填充可以拯救你的SoC Tapeout时间表
通过Vikas Gupta2017年2月- 16(-评论:0

Vikas Gupta和Bhavani Prasad集成电路(IC)设计和制造是最具挑战性的工程行业之一。一旦设计工程师进入“槽”和感觉舒适的录制在一个特定的技术节点,下一个技术节点收缩已经构成一个新的和更大的挑战。虽然几乎毫无疑问……»阅读更多

一个新颖的方法来使用Calibre SmartFill假填补模拟设计
通过导师,西门子业务- 10月19日,2016 -评论:0

用小几何硅过程,需要额外的非功能性的几何结构来维护层平面性在化学机械抛光(CMP) /阶段的处理。自动布局流生成这样的几何图形往往是设计主要是为大型系统芯片(SOC)数码设计。当应用于混合信号的布局,这些流已经见过哈…»阅读更多

似曾相识的CMP建模?
通过杰夫•威尔逊- 9月17日,2015 -评论:0

设计制造的一种定义(DFM)是提供知识的影响制造过程设计布局的设计师,所以他们可以使用这些信息来提高健壮性、可靠性、或收益率tapeout之前他们的设计。从本质上讲,DFM设计师采取所有权的完整的“生命周期”的设计,和超出所需的德西……»阅读更多

再次填充生态系统的发展
通过杰夫•威尔逊——7月23日,2015 -评论:0

几年前,我们写满的生态系统,以及20纳米技术如何铸造要求更严格的关系,设计师和EDA供应商。球员们保持不变时,有一些有趣的填充技术的变化和使用作为设计师搬到更小的技术。什么是继续每个节点设计的额外的复杂性弗洛……»阅读更多

高级节点填充数据库管理策略
通过杰夫•威尔逊11月- 13,2014 -评论:0

填补已有许多节点,最初介绍了改善制造的结果。铸造厂得知通过管理密度他们能够减少晶片厚度变化化学-机械抛光(CMP)过程中创建的,所以他们引入密度设计规则检查(DRC)。密度来满足这些需求,设计师“填满”的开放区域layou……»阅读更多

一个虚拟填充模拟设计的新方法
通过导师,西门子业务- 8月21日,2014 -评论:0

用小几何硅过程,需要额外的非功能性的几何结构来维护层平面性在化学机械抛光(CMP) /阶段的处理。自动布局流生成这样的几何图形往往是设计主要是为大型系统芯片(SOC)数码设计。当应用于混合信号的布局,这些流已经见过哈…»阅读更多

SoC集成错误
通过埃德·斯珀林- 2月26日,2014 -评论:1

半导体工程坐下来讨论集成挑战另Castagnetti,杰出工程师在大规模集成电路;罗伯•艾特肯一只手臂的;工程主任罗伯特•Lefferts Synopsys对此的解决方案集团;伯纳德·墨菲,首席技术官Atrenta;GlobalFoundries,路易吉Capodieci研发研究员。下面摘录的圆桌会议讨论。年代……»阅读更多

的好处在矽通过
通过凯瑟琳德比郡- 10月17日,2013 -评论:0

在矽通过(tsv) 3 d集成表面上类似于波纹为集成电路铜互联。腐蚀通过,进入硅或介质,线阻挡铜扩散,然后存一颗种子层填充之前通过使用某种形式的水与铜沉积。在这两个过程,扩散屏障的完整性。»阅读更多

←旧的文章

  • 赞助商

关于

导航

与我们联系

版权©2013 - 2023 SMG |服务条款|隐私政策
Baidu